欧美成人免费电影,国产欧美一区二区三区精品酒店,精品国产a毛片,色网在线免费观看

參數資料
型號: FJNS4205R
廠商: FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類: 小信號晶體管
英文描述: PNP Epitaxial Silicon Transistor
中文描述: 100 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝: LEAD FREE, TO-92S, 3 PIN
文件頁數: 1/4頁
文件大小: 69K
代理商: FJNS4205R
2002 Fairchild Semiconductor Corporation
Rev. A, July 2002
F
PNP Epitaxial Silicon Transistor
Absolute Maximum Ratings
T
a
=25
°
C unless otherwise noted
Symbol
Parameter
V
CBO
Collector-Base Voltage
V
CEO
Collector-Emitter Voltage
V
EBO
Emitter-Base Voltage
I
C
Collector Current
P
C
Collector Power Dissipation
T
J
Junction Temperature
T
STG
Storage Temperature
Electrical Characteristics
T
a
=25
°
C
unless otherwise noted
Symbol
Parameter
BV
CBO
Collector-Base Breakdown Voltage
BV
CEO
Collector-Emitter Breakdown Voltage
I
CBO
Collector Cut-off Current
h
FE
DC Current Gain
V
CE
(sat)
Collector-Emitter Saturation Voltage
C
ob
Output Capacitance
Value
-50
-50
-10
-100
300
150
-55 ~ 150
Units
V
V
V
mA
mW
°
C
°
C
Test Condition
I
C
= -10
μ
A, I
E
=0
I
C
= -100
μ
A, I
B
=0
V
CB
= -40V, I
E
=0
V
CE
= -5V, I
C
= -5mA
I
C
= -10mA, I
B
= -0.5mA
V
CB
= -10V, I
E
=0
f=1.0MHz
V
CE
= -10V, I
C
= -5mA
V
CE
= -5V, I
C
= -100
μ
A
V
CE
= -0.3V, I
C
= -20mA
Min.
-50
-50
Typ.
Max.
Units
V
V
μ
A
-0.1
30
-0.3
V
pF
5.5
f
T
V
I
(off)
V
I
(on)
R
1
R
1
/R
2
Current Gain Bandwidth Product
Input Off Voltage
Input On Voltage
Input Resistor
Resistor Ratio
200
MHz
V
V
K
-0.3
-2.5
6.2
0.52
3.2
0.42
4.7
0.47
FJNS4205R
Switching Application
(Bias Resistor Built In)
Switching circuit, Inverter, Interface circuit, Driver Circuit
Built in bias Resistor (R
1
=4.7K
, R
2
=10K
)
Complement to FJNS3205R
Equivalent Circuit
B
E
C
R1
R2
1.Emitter 2. Collector 3. Base
TO-92S
1
相關PDF資料
PDF描述
FJNS4206R PNP Epitaxial Silicon Transistor
FJNS4207R PNP Epitaxial Silicon Transistor
FJNS4208R PNP Epitaxial Silicon Transistor
FJNS4209R PNP Epitaxial Silicon Transistor
FJNS4210R PNP Epitaxial Silicon Transistor
相關代理商/技術參數
參數描述
FJNS4205RBU 功能描述:開關晶體管 - 偏壓電阻器 50V/100mA/4.7K 10K RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶體管極性:NPN/PNP 典型輸入電阻器: 典型電阻器比率: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 直流集電極/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作頻率: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:50 V 集電極連續電流:150 mA 峰值直流集電極電流: 功率耗散:200 mW 最大工作溫度: 封裝:Reel
FJNS4205RBU_Q 功能描述:開關晶體管 - 偏壓電阻器 50V/100mA/4.7K 10K RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶體管極性:NPN/PNP 典型輸入電阻器: 典型電阻器比率: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 直流集電極/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作頻率: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:50 V 集電極連續電流:150 mA 峰值直流集電極電流: 功率耗散:200 mW 最大工作溫度: 封裝:Reel
FJNS4205RTA 功能描述:開關晶體管 - 偏壓電阻器 PNP Si Transistor Epitaxial RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶體管極性:NPN/PNP 典型輸入電阻器: 典型電阻器比率: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 直流集電極/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作頻率: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:50 V 集電極連續電流:150 mA 峰值直流集電極電流: 功率耗散:200 mW 最大工作溫度: 封裝:Reel
FJNS4206R 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:PNP Epitaxial Silicon Transistor
FJNS4206RBU 功能描述:開關晶體管 - 偏壓電阻器 50V/100mA/10K 47K RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶體管極性:NPN/PNP 典型輸入電阻器: 典型電阻器比率: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 直流集電極/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作頻率: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:50 V 集電極連續電流:150 mA 峰值直流集電極電流: 功率耗散:200 mW 最大工作溫度: 封裝:Reel
主站蜘蛛池模板: 大兴区| 林口县| 马尔康县| 林州市| 临洮县| 芒康县| 彭泽县| 育儿| 皋兰县| 威远县| 新乡县| 丹凤县| 颍上县| 岑溪市| 镇宁| 晴隆县| 固镇县| 甘孜县| 鄂托克旗| 屏山县| 城步| 浙江省| 尤溪县| 伊吾县| 中西区| 吉首市| 浑源县| 长宁区| 兴和县| 万载县| 龙江县| 沂源县| 桐乡市| 横山县| 西昌市| 修水县| 九龙县| 虎林市| 大埔县| 嵊州市| 高陵县|