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參數資料
型號: FJP13009H2TU
廠商: FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類: 功率晶體管
英文描述: High Voltage Fast-Switching NPN Power Transistor
中文描述: 12 A, 400 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB
封裝: TO-220, 3 PIN
文件頁數: 5/6頁
文件大小: 99K
代理商: FJP13009H2TU
5
www.fairchildsemi.com
FJP13009 Rev. B
F
Mechanical Dimensions
4.50
±
0.20
9.90
±
0.20
1.52
±
0.10
0.80
±
0.10
2.40
±
0.20
10.00
±
0.20
1.27
±
0.10
3.60
±
0.10
(8.70)
2
±
0
1
±
0
1
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1
(
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°
)
9
±
0
1
±
0
1
±
0
1.30
+0.10
0.50
+0.10
2.54TYP
[2.54
±
0.20
]
2.54TYP
[2.54
±
0.20
]
TO-220
Dimensions in Millimeters
相關PDF資料
PDF描述
FJP13009TU High Voltage Fast-Switching NPN Power Transistor
FJP13009 DC Ammeter 20A 5-40V Pwr RoHS Compliant: Yes
FJP3305 High Voltage Switch Mode Application
FJP3307D High Voltage Fast Switching NPN Power Transistor
FJP3835 Power Amplifier
相關代理商/技術參數
參數描述
FJP13009H2TU 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:; Leaded Process Compatible:Yes
FJP13009H2TU_F138 功能描述:兩極晶體管 - BJT TO220 HI VOLTAGE SWITCH MODE APP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
FJP13009TU 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Sil Transistor RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
FJP13009TU 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:Bipolar Transistor
FJP1943 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:Audio Power Amplifier
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