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參數(shù)資料
| 型號： | FJP3307D |
| 廠商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | High Voltage Fast Switching NPN Power Transistor |
| 中文描述： | 8 A, 400 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB |
| 封裝： | LEAD FREE, TO-220, 3 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 3/6頁 |
| 文件大小： | 155K |
| 代理商： | FJP3307D |
3
www.fairchildsemi.com
FJP3307D Rev. 1.0.0
F
Typical Performance Characteristics
Figure 1. Static Characterstic
Figure 2. DC Current Gain (H1 Grade)
Figure 3. DC Current Gain (H2 Grade)
Figure 4. Collector-Emitter Saturation Voltage
Figure 5. Base-Emitter Saturation Voltage
Figure 6. Output Capacitance
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
4.5
5.0
I
B
=300mA
I
B
=100mA
I
C
V
CE
[V], COLLECTOR-EMITTER VOLTAGE
I
B
=50mA
0.1
1
10
1
10
100
T
C
= 125
o
C
T
C
= 75
o
C
T
C
= 25
o
C
h
F
,
I
C
[A], COLLECTOR CURRENT
T
C
= - 25
o
C
V
CE
= 5V
0.1
1
10
1
10
100
V
CE
= 5V
h
F
,
I
C
[A], COLLECTOR CURRENT
T
C
= 125
o
C
T
C
= 75
o
C
T
C
= 25
o
C
T
C
= - 25
o
C
0.01
0.1
1
10
0.01
0.1
1
10
V
C
(
I
C
[A], COLLECTOR CURRENT
I
C
= 5 I
B
T
C
= 125
o
C
T
C
= 75
o
C
T
C
= 25
o
C
T
C
= - 25
o
C
0.01
0.1
1
10
0.1
1
10
I
C
= 5 I
B
V
B
(
I
C
[A], COLLECTOR CURRENT
T
C
= 125
o
C
T
C
= 75
o
C
T
C
= 25
o
C
T
C
= - 25
o
C
1
10
100
10
100
1000
C
O
[
V
CB
[V], COLLECTOR-BASE VOLTAGE
f = 1MHz, I
E
= 0
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FJP3835 | Power Amplifier |
| FJP5021 | High Voltage and High Reliability |
| FJP5027 | High Voltage and High Reliability |
| FJP5304D | High Voltage High Speed Power Switch Application |
| FJP5321 | High Voltage and High Reliability |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| FJP3307D_08 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:High Voltage Fast Switching NPN Power Transistor |
| FJP3307DH1 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT HI-VLTG FAST SWITCH NPN POWER TRANSISTOR RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| FJP3307DH1TU | 功能描述:兩極晶體管 - BJT HI-VLTG FAST SWITCH NPN POWER TRANSISTOR RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| FJP3307DH2 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT HI-VLTG FAST SWITCH NPN POWER TRANSISTOR RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| FJP3307DH2TU | 功能描述:兩極晶體管 - BJT HI-VLTG FAST SWITCH NPN POWER TRANSISTOR RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
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