- 您現在的位置：買賣IC網 > PDF目錄375801 > FJP5021 (FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP) High Voltage and High Reliability PDF資料下載
參數資料
| 型號： | FJP5021 |
| 廠商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | High Voltage and High Reliability |
| 中文描述： | 5 A, 500 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB |
| 封裝： | TO-220, 3 PIN |
| 文件頁數： | 3/5頁 |
| 文件大小： | 54K |
| 代理商： | FJP5021 |
2003 Fairchild Semiconductor Corporation
F
Rev. A, May 2003
Typical Characteristics
(Continued)
Figure 7. Reverse Bias Safe Operating Area
Figure 8. Power Derating
10
100
1000
10000
0.01
0.1
1
10
100
Vcc=50V,
I
=1A, I
B2
= -1A
L = 1mH
I
C
[
V
CE
[V], COLLECTOR-EMITTER VOLTAGE
0
25
50
75
100
125
150
175
0
10
20
30
40
50
60
70
80
P
C
[
T
C
[
o
C], CASE TEMPERATURE
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FJP5027 | High Voltage and High Reliability |
| FJP5304D | High Voltage High Speed Power Switch Application |
| FJP5321 | High Voltage and High Reliability |
| FJP5355 | High Voltage Switch Mode Application |
| FJP5554 | High Voltage Fast Switching Transistor |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| FJP5021O | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 800V/500V/5A/NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| FJP5021OTU | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Sil Transistor RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| FJP5021OV | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 800V/500V/5A/NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| FJP5021OVTU | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 800V/500V/5A/NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| FJP5021R | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 800V/500V/5A/NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
發布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。