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參數資料
| 型號： | FJP5355 |
| 廠商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | High Voltage Switch Mode Application |
| 中文描述： | 5 A, 440 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB |
| 封裝： | TO-220, 3 PIN |
| 文件頁數： | 3/5頁 |
| 文件大?。?/td> | 70K |
| 代理商： | FJP5355 |
2003 Fairchild Semiconductor Corporation
F
Rev. A, September 2003
Typical Characteristics
(Continued)
Figure 7. Reverse Biased Safe Operating Area
Figure 8. Forward Biased Safe Operating Area
10
100
1000
1
2
3
4
5
6
I
B1
=1A, R
B2
=0
L=1mH, V
CC
=50V
I
C
V
CE
[V], COLLECTOR-EMITTER VOLTAGE
1
10
100
1000
0.01
0.1
1
10
100
500
μ
s
1ms
10ms
DC
I
CP
(max)
I
C
(max)
I
C
[
V
CE
[V], COLLECTOR-EMITTER VOLTAGE
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FJP5554 | High Voltage Fast Switching Transistor |
| FJP5554TU | High Voltage Fast Switching Transistor |
| FJP9100 | High Voltage Power Darlington Transistor |
| FJPF13007 | High Voltage Switch Mode Application |
| FJPF13009 | High Voltage Switch Mode Application |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| FJP5355TU | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Silicon RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| FJP5554 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT HI-VLTG FAST SWITCH TRANSISTOR RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| FJP5554TU | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN 40V/5A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| FJP5555 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:NPN Silicon Transistor |
| FJP5555_10 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:NPN Silicon Transistor |
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