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參數資料
| 型號： | FJP9100 |
| 廠商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | High Voltage Power Darlington Transistor |
| 中文描述： | 4 A, 275 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB |
| 封裝： | TO-220, 3 PIN |
| 文件頁數： | 1/5頁 |
| 文件大小： | 70K |
| 代理商： | FJP9100 |
2003 Fairchild Semiconductor Corporation
Rev. A, May 2003
F
FJP9100
TO-220
1.Base 2.Collector 3.Emitter
1
High Voltage Power Darlington Transistor
Built-in Resistor at Base-Emitter : R
1
(Typ.)=2000
Built-in Resistor at Base : R
B
(Typ.)=700
±
100
NPN Silicon Darlington Transistor
Absolute Maximum Ratings
T
C
=25
°
C
unless otherwise noted
Symbol
Parameter
V
CBO
Collector-Base Voltage
V
CEO
Collector-Emitter Voltage
V
EBO
Emitter-Base Voltage
I
C
Collector Current (DC)
I
CP
*Collector Current (Pulse)
I
B
Base Current (DC)
P
C
Collector Dissipation (T
C
=25
°
C)
T
J
Junction Temperature
T
STG
Storage Temperature
* Pulse Test: PW=300
μ
s, duty Cycle=2% Pulsed
Electrical Characteristics
T
C
=25
°
C unless otherwise noted
Symbol
Parameter
BV
CBO
Collector-Base Breakdown Voltage
BV
CER
Collector-Emitter Breakdown Voltage
BV
CEO
(sus)
Collector-Emitter Sustaining Voltage
BV
EBO
Emitter-Base Breakdown Voltage
I
CBO
Collector Cut-off Current
I
EBO
Emitter Cut-off Current
h
FE
DC Current Gain
Value
600
275
10
4
6
0.5
40
150
- 55 ~ 150
Units
V
V
V
A
A
A
W
°
C
°
C
Test Condition
I
C
= 500
μ
A, I
E
= 0
I
C
= 1mA, R
BE
= 330
I
C
= 1.5A, I
B
= 50mA, L=25mH
I
E
= 500
μ
A, I
C
= 0
V
CB
= 600V, I
E
= 0
V
EB
= 10V, I
C
= 0
V
CE
= 5V, I
C
= 0.5A
V
CE
= 5V, I
C
= 3A
I
C
= 2A, I
B
= 5mA
I
C
= 2A, I
B
= 5mA
V
CB
= 10V, I
E
= 0, f=1MHz
Min.
600
600
275
10
Typ.
Max.
Units
V
V
V
V
mA
mA
0.1
0.1
5000
1000
1000
V
CE
(sat)
V
BE
(sat)
C
ob
Collector-Emitter Saturation Voltage
Base-Emitter Saturation Voltage
Output Capacitance
1.5
6.0
V
V
pF
110
Equivalent Circuit
B
E
C
R
1
R
B
R1
RB
2000
700
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FJPF13007 | High Voltage Switch Mode Application |
| FJPF13009 | High Voltage Switch Mode Application |
| FJPF3305 | High Voltage Switch Mode Application |
| FJPF3835 | Power Amplifier |
| FJPF5021 | High Voltage and High Reliability |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| FJP9100TU | 功能描述:達林頓晶體管 NPN Si Transistor Darlington RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發射極最大電壓 VCEO:50 V 發射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel |
| FJPF13007 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 700V/400V/8A/NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| FJPF13007H1 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 700V/400V/8A/NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| FJPF13007H1TTU | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 700V 400V 8A NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| FJPF13007H1TU | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Sil Transistor RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
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