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參數資料
| 型號： | FJPF3835 |
| 廠商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | Power Amplifier |
| 中文描述： | 8 A, 120 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB |
| 封裝： | TO-200F, 3 PIN |
| 文件頁數： | 1/4頁 |
| 文件大小： | 63K |
| 代理商： | FJPF3835 |
2004 Fairchild Semiconductor Corporation
Rev. A, May 2004
F
NPN Epitaxial Silicon Transistor
Absolute Maximum Ratings
T
C
=25
°
C
unless otherwise noted
Symbol
V
CBO
Collector-Base Voltage
V
CEO
Collector-Emitter Voltage
V
EBO
Emitter-Base Voltage
I
C
Collector Current (DC)
I
CP
Collector Current (Pulse)
P
C
Collector Dissipation (T
C
=25
°
C)
T
J
Junction Temperature
T
STG
Storage Temperature
Electrical Characteristics
T
C
=25
°
C
unless otherwise noted
Symbol
Parameter
BV
CBO
Collector-Base Breakdown Voltage
BV
CEO
Collector-Emitter Breakdown Voltage
BV
EBO
Emitter-Base Breakdown Voltage
I
CBO
Collector Cut-off Current
I
EBO
Emitter Cut-off Current
h
FE
V
CE
(sat)
Collector-Emitter Saturation Voltage
V
BE
(sat)
Base-Emitter On Voltage
f
T
Current Gain Bandwidth Product
C
ob
Output Capacitance
t
ON
Turn On Time
t
F
Fall Time
t
STG
Storage Time
* Pulse Test : PW=20
μ
s
Parameter
Value
200
120
8
8
16
30
150
- 55 ~ 150
Units
V
V
V
A
A
W
°
C
°
C
Test Condition
I
C
=5mA, I
E
=0
I
C
=10mA, R
BE
=
∞
I
E
=5mA, I
C
=0
V
CB
=80V, I
E
=0
V
EB
=4V, I
C
=0
V
CE
=4V, I
C
=3A
I
C
=3A, I
B
=0.3A
I
C
=3A, I
B
=0.3A
V
CE
=5V, I
C
=1A
V
CB
=10V, f=1MHz
V
CC
=20V,
I
C
=1A=10I
B1
=-10I
B2
R
L
=20
Min.
200
120
8
Typ.
Max.
Units
V
V
V
mA
mA
0.1
0.1
250
0.5
1.2
*
DC Current Gain
120
V
V
30
210
0.26
0.68
6.68
MHz
pF
μ
s
μ
s
μ
s
FJPF3835
Power Amplifier
High Current Capability : I
C
=8A
High Power Dissipation
Wide S.O.A
1.Base 2.Collector 3.Emitter
TO-220F
1
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