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參數資料
| 型號： | FJPF3835 |
| 廠商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | Power Amplifier |
| 中文描述： | 8 A, 120 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB |
| 封裝： | TO-200F, 3 PIN |
| 文件頁數： | 2/4頁 |
| 文件大?。?/td> | 63K |
| 代理商： | FJPF3835 |
2004 Fairchild Semiconductor Corporation
F
Rev. A, May 2004
Typical Characteristics
Figure 1. Static Characterstic
Figure 2. DC current Gain
Figure 3. Collector-Emitter Saturation Voltage
Figure 4. Base-Emitter Saturation Voltage
Figure 5. Safe Operating Area
Figure 6. Power Derating
0
2
4
6
8
0
1
2
3
4
5
6
7
I
B
= 35mA
I
B
= 10mA
I
B
= 5mA
I
C
V
CE
[V], COLLECTOR-EMITTER VOLTAGE
0.01
0.1
1
10
10
100
1000
V
CE
= 4V
T
C
= 75
o
C
T
C
= 125
o
C
T
C
= 25
o
C
T
C
= - 25
o
C
h
F
,
I
C
[A], COLLECTOR CURRENT
0.01
0.1
1
10
1E-3
0.01
0.1
1
I
C
= 10 I
B
T
C
= 125
o
C
T
C
= 75
o
C
T
C
= 25
o
C
T
C
= - 25
o
C
V
C
(
I
C
[A], COLLECTOR CURRENT
0.01
0.1
1
10
0.1
1
10
T
C
= 75
o
C
T
C
= 25
o
C
T
C
= 125
o
C
T
C
= - 25
o
C
I
C
= 10 I
B
V
B
(
I
C
[A], COLLECTOR CURRENT
0.1
1
10
100
0.01
0.1
1
10
100
Single Pulse
T
C
=25[
o
C]
100ms
I
C
MAX. (DC)
10ms
I
C
MAX. (Pulse)
I
C
[
V
CE
[V], COLLECTOR-EMITTER VOLTAGE
0
25
50
75
100
125
150
175
0
10
20
30
40
50
60
P
C
[
T
C
[
o
C], CASE TEMPERATURE
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