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參數資料
| 型號： | FJPF3835 |
| 廠商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | Power Amplifier |
| 中文描述： | 8 A, 120 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB |
| 封裝： | TO-200F, 3 PIN |
| 文件頁數： | 3/4頁 |
| 文件大小： | 63K |
| 代理商： | FJPF3835 |
Package Dimensions
F
(7.00)
(0.70)
MAX1.47
(30
°
)
#1
3
±
0
1
±
0
1
±
0
6
±
0
9
±
0
4
±
0
10.16
±
0.20
(1.00x45
°
)
2.54
±
0.20
0.80
±
0.10
9.40
±
0.20
2.76
±
0.20
0.35
±
0.10
3.18
±
0.10
2.54TYP
[2.54
±
0.20
]
2.54TYP
[2.54
±
0.20
]
0.50
+0.10
–0.05
TO-220F
Dimensions in Millimeters
Rev. A, May 2004
2004 Fairchild Semiconductor Corporation
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FJPF5021 | High Voltage and High Reliability |
| FJPF5027 | High Voltage and High Reliability |
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| FJPF5555 | High Voltage Switch Mode Application |
| FJPF6806D | NPN Triple Diffused Planar Silicon Transistor |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
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| FJPF5021R | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 800V/500V/5A/NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
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