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參數(shù)資料
| 型號： | FJP9100 |
| 廠商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | High Voltage Power Darlington Transistor |
| 中文描述： | 4 A, 275 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB |
| 封裝： | TO-220, 3 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 2/5頁 |
| 文件大小： | 70K |
| 代理商： | FJP9100 |
2003 Fairchild Semiconductor Corporation
F
Rev. A, May 2003
Typical Characteristics
Figure 1. Static Characterstic
Figure 2. DC current Gain
Figure 3. Collector-Emitter Saturation Voltage
Figure 4. Base-Emitter Saturation Voltage
Figure 5. R
B
& R
1
vs. Ambient Temperature
Figure 6. Output Capacitance
0
1
2
3
4
5
6
7
0
1
2
3
4
5
I
B
= 1.4mA
I
B
= 0.6mA
I
B
= 0.4mA
I
B
= 0
I
C
V
CE
[V], COLLECTOR-EMITTER VOLTAGE
0.1
1
10
10
100
1k
10k
V
CE
= 5V
Ta = 75
o
C
Ta = 125
o
C
Ta = 25
o
C
Ta = - 25
o
C
D
I
C
[A], COLLECTOR CURRENT
0.1
1
10
0.1
1
10
100
Ta = 75
o
C
Ta = 125
o
C
Ta = 25
o
C
Ta = - 25
o
C
I
C
= 400 I
B
V
C
(
I
C
[A], COLLECTOR CURRENT
0.1
1
10
0.1
1
10
100
Ta = 25
o
C
Ta = 75
o
C
Ta = 125
o
C
Ta = - 25
o
C
I
C
= 400 I
B
V
B
(
I
C
[A], COLLECTOR CURRENT
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
100
1k
10k
R
1
R
B
R
B
1
]
T
A
[
o
C], ABBIENT TEMPERATURE
1
10
100
10
100
1000
f = 1MHz, I
E
= 0
C
V
CB
[V], COLLECTOR-BASE VOLTAGE
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FJPF13007 | High Voltage Switch Mode Application |
| FJPF13009 | High Voltage Switch Mode Application |
| FJPF3305 | High Voltage Switch Mode Application |
| FJPF3835 | Power Amplifier |
| FJPF5021 | High Voltage and High Reliability |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| FJP9100TU | 功能描述:達林頓晶體管 NPN Si Transistor Darlington RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel |
| FJPF13007 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 700V/400V/8A/NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| FJPF13007H1 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 700V/400V/8A/NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| FJPF13007H1TTU | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 700V 400V 8A NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| FJPF13007H1TU | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Sil Transistor RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
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