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參數(shù)資料
| 型號： | FJP5554 |
| 廠商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | High Voltage Fast Switching Transistor |
| 中文描述： | 4 A, 400 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB |
| 封裝： | TO-200, 3 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 4/6頁 |
| 文件大小： | 172K |
| 代理商： | FJP5554 |
4
www.fairchildsemi.com
FJP5554 Rev. A
F
Typical Performance Characteristics
(Continued)
Figure 7. Reverse Biased Safe Operating Area
Figure 8. Forward Biased Safe Operating Area
Figure 9. Power Derating Curve
0
200
400
600
800
1000
1200
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
I
C
V
CE
[V], COLLECTOR-EMITTER VOLTAGE
V
BE
(off)=-5V
R
BE
(off)=1 ohm
V
CC
=50V, I
B1
=1.2A
L=1mH
10
0.01
0.1
1
10
100
1ms
10ms
Pulse
1000
I
C
V
CE
[V], COLLECTOR-EMITTER VOLTAGE
100
DC
Single Pulse
T
C
=25
o
C
100ms
0
25
50
75
100
125
150
0
20
40
60
80
100
P
C
T
C
[
o
C], CASE TEMPERATURE
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FJP5554TU | High Voltage Fast Switching Transistor |
| FJP9100 | High Voltage Power Darlington Transistor |
| FJPF13007 | High Voltage Switch Mode Application |
| FJPF13009 | High Voltage Switch Mode Application |
| FJPF3305 | High Voltage Switch Mode Application |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| FJP5554TU | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN 40V/5A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| FJP5555 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:NPN Silicon Transistor |
| FJP5555_10 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:NPN Silicon Transistor |
| FJP5555ATU | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述: |
| FJP5555STU | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述: |
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