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參數(shù)資料
型號(hào): FJPF5027
廠商: FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類: 功率晶體管
英文描述: High Voltage and High Reliability
中文描述: 3 A, 800 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB
封裝: TO-220F, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù): 2/5頁(yè)
文件大小: 63K
代理商: FJPF5027
2003 Fairchild Semiconductor Corporation
F
Rev. A, December 2003
Typical Characteristics
Figure 1. Static Characteristic
Figure 2. DC current Gain
Figure 3. Saturation Voltage
Figure 4. Saturation Voltage
Figure 5. Reverse Bias Safe Operating Area
Figure 6. Forward Bias Safe Operating Area
0
1
2
3
4
5
6
7
8
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
I
B
= 350mA
I
B
= 150mA
I
B
= 100mA
I
B
= 50mA
I
C
V
CE
[V], COLLECTOR-EMITTER VOLTAGE
0.01
0.1
1
10
1
10
100
V
CE
= 5 V
T
C
= 75
o
C
T
C
= 25
o
C
T
C
= 125
o
C
T
C
= - 25
o
C
h
F
,
I
C
[A], COLLECTOR CURRENT
0.1
1
10
0.01
0.1
1
10
100
T
C
= 125
o
C
T
C
= 75
o
C
T
C
= 25
o
C
I
C
= 5 I
B
T
C
= - 25
o
C
V
C
(
I
C
[A], COLLECTOR CURRENT
0.1
1
10
0.1
1
10
T
C
= 75
o
C
T
C
= 25
o
C
T
C
= - 25
o
C
T
C
= 125
o
C
I
C
= 5 I
B
V
B
(
I
C
[A], COLLECTOR CURRENT
10
100
1000
1
10
I
=3A, R
B2
=0
L=1mH, V
CC
=20V
I
C
V
CE
[V], COLLECTOR-EMITTER VOLTAGE
1
10
100
1000
10000
1E-3
0.01
0.1
1
10
100
100
μ
s
1ms
10ms
DC
I
C
MAX.(Pulse)
I
C
MAX(Continuous)
I
C
[
V
CE
[V], COLLECTOR-EMITTER VOLTAGE
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PDF描述
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參數(shù)描述
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FJPF5027OTU 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Silicon Trans RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
FJPF5027RTU 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN 11 00V/3A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
FJPF5027RYDTU 功能描述:TRANSISTOR NPN 800V 3A TO-220F RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)(最大):1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿(最大):30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度(最大):200mV @ 100mA,1A 電流 - 集電極截止(最大):100nA 在某 Ic、Vce 時(shí)的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA,5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3(TO-236) 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR
FJPF5027TU 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN 1100V/3A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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