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參數(shù)資料
型號: FJPF5027
廠商: FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類: 功率晶體管
英文描述: High Voltage and High Reliability
中文描述: 3 A, 800 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB
封裝: TO-220F, 3 PIN
文件頁數(shù): 3/5頁
文件大小: 63K
代理商: FJPF5027
2003 Fairchild Semiconductor Corporation
F
Rev. A, December 2003
Typical Characteristics
(Continued)
Figure 7. Resistive Load Switching Characteristics
Figure 8. Power Derating
0.1
1
10
0.01
0.1
1
10
I
B1
=45mA, I
B2
=-0.5A
V
CC
=125V
t
F
,
S
μ
s
I
C
[A], COLLECTOR CURRENT
0
25
50
75
100
125
150
175
0
10
20
30
40
50
60
70
P
C
[
T
C
[
o
C], CASE TEMPERATURE
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PDF描述
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FJPF5027RTU 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN 11 00V/3A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
FJPF5027RYDTU 功能描述:TRANSISTOR NPN 800V 3A TO-220F RoHS:是 類別:分離式半導體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標準包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)(最大):1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿(最大):30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度(最大):200mV @ 100mA,1A 電流 - 集電極截止(最大):100nA 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA,5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供應商設備封裝:SOT-23-3(TO-236) 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR
FJPF5027TU 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN 1100V/3A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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