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參數資料
| 型號： | FJPF6806D |
| 廠商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | NPN Triple Diffused Planar Silicon Transistor |
| 中文描述： | 6 A, 750 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| 封裝： | TO-220F, 3 PIN |
| 文件頁數： | 2/5頁 |
| 文件大小： | 78K |
| 代理商： | FJPF6806D |
2002 Fairchild Semiconductor Corporation
F
Rev. A, July 2002
Typical Characteristics
Figure 1. Static Characteristic
Figure 2. DC current Gain
Figure 3. Collector-Emitter Saturation Voltage
Figure 4. Collector-Emitter Saturation Voltage
Figure 5. Base-Emitter On Voltage
Figure 6. Resistive Load Switching Time
0
2
4
6
8
10
0
1
2
3
4
5
6
7
8
I
B
= 2.0A
I
B
= 0.8A
I
B
= 0.6A
I
B
= 0.4A
I
B
= 0.2A
I
C
V
CE
[V], COLLECTOR-EMITTER VOLTAGE
0.1
1
10
1
10
100
VCE = 5V
Ta = 25
o
C
Ta = - 25
o
C
Ta = 125
o
C
H
F
,
I
C
[A], COLLECTOR CURRENT
0.1
1
10
0.01
0.1
1
10
I
C
= 5 I
B
Ta = 25
o
C
Ta = - 25
o
C
Ta = 125
o
C
V
C
(
I
C
[A], COLLECTOR CURRENT
0.1
1
10
0.01
0.1
1
10
I
C
= 3 I
B
Ta = 25
o
C
Ta = 125
o
C
Ta = - 25
o
C
V
C
(
I
C
[A], COLLECTOR CURRENT
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
0
2
4
6
8
10
V
CE
= 5 V
Ta = 25
o
C
Ta = 125
o
C
Ta = - 25
o
C
I
C
V
BE
[V], BASE-EMITTER ON VOLTAGE
1
0.1
1
V
CC
= 200V,
I
C
= 4A, I
B1
= 1A
t
F
t
STG
t
S
F
μ
s
I
B2
[A], REVERSE BASE CURRENT
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
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相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
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