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參數資料
| 型號： | FJPF6806D |
| 廠商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | NPN Triple Diffused Planar Silicon Transistor |
| 中文描述： | 6 A, 750 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| 封裝： | TO-220F, 3 PIN |
| 文件頁數： | 3/5頁 |
| 文件大小： | 78K |
| 代理商： | FJPF6806D |
2002 Fairchild Semiconductor Corporation
F
Rev. A, July 2002
Typical Characteristics
(Continued)
Figure 7. Resistive Load Switching Time
Figure 8. Resistive Load Switching Time
Figure 9. Reverse Bias Safe Operating Area
Figure 10. Forward Bias Safe Operating Area
Figure 11. Power Derating
1
0.1
1
10
V
CC
= 200V,
I
C
= 4A, I
B2
= - 2A
t
F
t
STG
t
S
F
μ
s
I
B1
[A], FORWARD BASE CURRENT
1
10
0.1
1
V
CC
= 200V,
I
B1
= 1A,I
B2
= - 2A
t
STG
t
F
t
S
F
μ
s
I
C
[A], COLLECTOR CURRENT
10
100
1000
10000
3
6
9
12
15
V
BE
(off) = -3V
R
B2
= 0, I
= 15A
V
CC
= 30V, L = 200
μ
H
1
I
C
V
CE
[V], COLLECTOR-EMITTER VOLTAGE
1
10
100
1000
10000
0.01
0.1
1
10
100
t = 1ms
t = 10ms
t = 100ms
I
C
(Pulse)
I
C
(DC)
T
= 25
Single Pulse
o
C
I
C
V
CE
[V], COLECTOR-EMITTER VOLTAGE
0
25
50
75
100
125
150
175
200
0
10
20
30
40
50
60
70
80
P
D
T
C
[
o
C], CASE TEMPERATURE
相關PDF資料 |
PDF描述 |
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相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
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| FJPF9020TU | 功能描述:達林頓晶體管 PNP Transistor Epitaxial Darlington RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發射極最大電壓 VCEO:50 V 發射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel |
| FJPGM5CIW | 制造商:Panduit Corp 功能描述: |
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