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參數資料
| 型號： | FJPF9020 |
| 廠商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | PNP Epitaxial Darlington Transistor |
| 中文描述： | 2 A, 550 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
| 封裝： | TO-220F, 3 PIN |
| 文件頁數： | 2/5頁 |
| 文件大小： | 63K |
| 代理商： | FJPF9020 |
2002 Fairchild Semiconductor Corporation
F
Rev. A, June 2002
Typical Characteristics
Figure 1. Static Characterstic
Figure 2. DC current Gain
Figure 3. V
CE
(sat) vs. I
B
Characteristics
Figure 4. Collector-Emitter Saturation Voltage
Figure 5. Base-Emitter On Voltage
Figure 6. Output Capacitance
-0
-1
-2
-3
-4
-5
-0.0
-0.5
-1.0
-1.5
-2.0
-2.5
-3.0
I
B
= - 40mA
I
B
= - 15mA
I
B
= - 3mA
I
B
= - 1.5mA
I
C
V
CE
[V], COLLECTOR-EMITTER VOLTAGE
-0.1
-1
10
100
1000
125
o
C
75
o
C
25
o
C
- 25
o
C
V
CE
= - 4V
- 4
- 0.03
H
F
,
I
C
[A], COLLECTOR CURRENT
-1E-3
-0.01
-0.1
-0
-1
-2
-3
-4
- 0.4
I
C
= - 2A
I
C
= - 1A
V
C
(
I
B
[A], BASE CURRENT
-1
-0
-1
-2
-3
125
o
C
75
o
C
25
o
C
- 25
o
C
I
C
/ I
B
= 50
- 4
- 0.2
V
C
(
I
C
[A], COLLECTOR CURRENT
-0.0
-0.5
-1.0
-1.5
-2.0
-2.5
-3.0
-0.0
-0.5
-1.0
-1.5
-2.0
125
o
C
75
o
C
25
o
C
- 25
o
C
V
CE
= - 4V
I
C
V
BE
[V], BASE-EMITTER VOLTAGE
-0
-5
-10
-15
-20
-25
10
100
1000
f = 1MHz
C
V
CB
[V], COLLECTOR-BASE VOLTAGE
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PDF描述 |
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參數描述 |
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