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參數資料
| 型號： | FJPF9020 |
| 廠商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | PNP Epitaxial Darlington Transistor |
| 中文描述： | 2 A, 550 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
| 封裝： | TO-220F, 3 PIN |
| 文件頁數： | 3/5頁 |
| 文件大小： | 63K |
| 代理商： | FJPF9020 |
2002 Fairchild Semiconductor Corporation
F
Rev. A, June 2002
Typical Characteristics
(Continued)
Figure 7. Forward Bias Safe Operating Area
Figure 8. Power Derating
-1
-10
-100
-1000
-1E-3
-0.01
-0.1
-1
-10
10ms
100ms
I
C
(Pulse)
I
C
(DC)
Single Pulse
Ta=25
o
C
I
C
V
CE
[V], COLLECTOR-EMITTER VOLTAGE
0
25
50
75
100
125
150
175
0
5
10
15
20
P
C
T
C
[
o
C], CASE TEMPERATURE
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PDF描述 |
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相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
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| FJPF9020TU | 功能描述:達林頓晶體管 PNP Transistor Epitaxial Darlington RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發射極最大電壓 VCEO:50 V 發射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel |
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