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參數資料
| 型號： | FKN2L60 |
| 廠商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | 晶閘管 |
| 英文描述： | Bi-Directional Triode Thyristor Planar Silicon |
| 中文描述： | 600 V, 1.5 A, TRIAC, TO-92 |
| 封裝： | TO-92, 3 PIN |
| 文件頁數： | 3/7頁 |
| 文件大小： | 127K |
| 代理商： | FKN2L60 |
2004 Fairchild Semiconductor Corporation
Rev. A, April 2004
F
Typical Curves
Figure 1. Maximum On-state Characteristics
Figure 2. Rated Surge On-state Current
Figure 3. Gate Characteristics
Figure 4. Gate Trigger Current vs Tj
Figure 5. Gate Trigger Voltage vs Tj
Figure 6. Transient Thermal Impedance
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
0
2
4
6
8
10
12
125
o
C
25
o
C
O
ON-STATE VOLTAGE [V]
1
10
100
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
50Hz
60Hz
S
NUMBER OF CYCLES AT 50Hz AND 60Hz
1
10
100
1000
0.1
1
10
100
V
GD
=0.2V
I
GT
=10mA
I
GM
=1.6A
P
GM
=3W
P
G(AV)
=0.3W
V
GM
=10V
V
GT
=1.5V
G
GATE CURRENT [mA]
-60
-40
-20
0
20
40
60
80
100
120
140
10
100
1000
N
JUNCTION TEMPERATURE [
o
C]
I
Ⅰ
I
Ⅱ
, I
Ⅲ
-60
-40
-20
0
20
40
60
80
100
120
140
10
100
1000
V
GT
Ⅰ
V
GT
Ⅱ
, V
GT
Ⅲ
N
JUNCTION TEMPERATURE [
o
C]
1E-5
1E-4
1E-3
0.01
0.1
1
10
100
1000
1E-3
0.01
0.1
1
10
100
1000
T
o
C
CONDUCTION TIME [sec]
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FKN2L80 | Bi-Directional Triode Thyristor Planar Silicon |
| FKPF10N80 | Application Explanation |
| FKPF12N60 | Bi-Directional Triode Thyristor Planar Silicon |
| FKPF12N80 | Application Explanation |
| FKPF2N80 | Header; No. of Contacts:8; Pitch Spacing:2.54mm; No.of Rows:2; |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| FKN2L60BU | 功能描述:雙向可控硅 TBD RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 開啟狀態 RMS 電流 (It RMS):16 A 不重復通態電流:120 A 額定重復關閉狀態電壓 VDRM:600 V 關閉狀態漏泄電流（在 VDRM IDRM 下）:5 uA 開啟狀態電壓: 保持電流（Ih 最大值）:45 mA 柵觸發電壓 (Vgt):1.3 V 柵觸發電流 (Igt):1.75 mA 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:TO-220AB |
| FKN2L60FBU | 功能描述:雙向可控硅 Bi-Di Triode Thyristor Planar Sil RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 開啟狀態 RMS 電流 (It RMS):16 A 不重復通態電流:120 A 額定重復關閉狀態電壓 VDRM:600 V 關閉狀態漏泄電流（在 VDRM IDRM 下）:5 uA 開啟狀態電壓: 保持電流（Ih 最大值）:45 mA 柵觸發電壓 (Vgt):1.3 V 柵觸發電流 (Igt):1.75 mA 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:TO-220AB |
| FKN2L80 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:Bi-Directional Triode Thyristor Planar Silicon |
| FKN2L80BU | 功能描述:雙向可控硅 Bi-Directional RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 開啟狀態 RMS 電流 (It RMS):16 A 不重復通態電流:120 A 額定重復關閉狀態電壓 VDRM:600 V 關閉狀態漏泄電流（在 VDRM IDRM 下）:5 uA 開啟狀態電壓: 保持電流（Ih 最大值）:45 mA 柵觸發電壓 (Vgt):1.3 V 柵觸發電流 (Igt):1.75 mA 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:TO-220AB |
| FKN2L80FBU | 功能描述:雙向可控硅 Bi-Directional RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 開啟狀態 RMS 電流 (It RMS):16 A 不重復通態電流:120 A 額定重復關閉狀態電壓 VDRM:600 V 關閉狀態漏泄電流（在 VDRM IDRM 下）:5 uA 開啟狀態電壓: 保持電流（Ih 最大值）:45 mA 柵觸發電壓 (Vgt):1.3 V 柵觸發電流 (Igt):1.75 mA 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:TO-220AB |
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