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參數(shù)資料
| 型號： | FKN2L60 |
| 廠商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | 晶閘管 |
| 英文描述： | Bi-Directional Triode Thyristor Planar Silicon |
| 中文描述： | 600 V, 1.5 A, TRIAC, TO-92 |
| 封裝： | TO-92, 3 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 4/7頁 |
| 文件大?。?/td> | 127K |
| 代理商： | FKN2L60 |
2004 Fairchild Semiconductor Corporation
Rev. A, April 2004
F
Typical Curves
(Continues)
Figure 7. Allowable Case, Ambient Temperature
vs Rms On-state Current
Figure 8. Maximum On-state Power Dissipation
Figure 9. Repetitive Peak Off-state Current
vs Junction Temperature
Figure 10. Holding Current vs
Junction Temperature
Figure 11. Breakover Voltage vs
Junction Temperature
Figure 12. Gate Trigger Current vs
Gate Current Pulse Width
0.0
0.2
0.4
0.6
ON-STATE CURRENT [A]
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
1.8
2.0
0
20
40
60
80
100
120
140
T
a
T
C
M
T
C
M
a
M
o
C
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
RMS ON-STATE CURRENT [A]
1.0
1.2
1.4
1.6
1.8
2.0
2.2
2.4
2.6
2.8
3.0
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
O
-60
-40
-20
0
20
40
60
80
100
120
140
10
2
10
3
10
4
10
5
TYPICAL EXAMPLE
N
JUNCTION TEMPERATURE [
o
C]
-60
-40
-20
0
20
40
60
80
100
120
140
10
100
1000
N
JUNCTION TEMPERATURE [
o
C]
-60
-40
-20
0
20
40
60
80
100
120
140
0
20
40
60
80
100
120
140
160
TYPICAL EXAMPLE
N
JUNCTION TEMPERATURE [
o
C]
1
10
100
10
100
1000
I
Ⅲ
I
Ⅱ
I
Ⅰ
N
GATE CURRENT PULSE WIDTH [
μ
s]
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FKN2L80 | Bi-Directional Triode Thyristor Planar Silicon |
| FKPF10N80 | Application Explanation |
| FKPF12N60 | Bi-Directional Triode Thyristor Planar Silicon |
| FKPF12N80 | Application Explanation |
| FKPF2N80 | Header; No. of Contacts:8; Pitch Spacing:2.54mm; No.of Rows:2; |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| FKN2L60BU | 功能描述:雙向可控硅 TBD RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 開啟狀態(tài) RMS 電流 (It RMS):16 A 不重復(fù)通態(tài)電流:120 A 額定重復(fù)關(guān)閉狀態(tài)電壓 VDRM:600 V 關(guān)閉狀態(tài)漏泄電流（在 VDRM IDRM 下）:5 uA 開啟狀態(tài)電壓: 保持電流（Ih 最大值）:45 mA 柵觸發(fā)電壓 (Vgt):1.3 V 柵觸發(fā)電流 (Igt):1.75 mA 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:TO-220AB |
| FKN2L60FBU | 功能描述:雙向可控硅 Bi-Di Triode Thyristor Planar Sil RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 開啟狀態(tài) RMS 電流 (It RMS):16 A 不重復(fù)通態(tài)電流:120 A 額定重復(fù)關(guān)閉狀態(tài)電壓 VDRM:600 V 關(guān)閉狀態(tài)漏泄電流（在 VDRM IDRM 下）:5 uA 開啟狀態(tài)電壓: 保持電流（Ih 最大值）:45 mA 柵觸發(fā)電壓 (Vgt):1.3 V 柵觸發(fā)電流 (Igt):1.75 mA 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:TO-220AB |
| FKN2L80 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:Bi-Directional Triode Thyristor Planar Silicon |
| FKN2L80BU | 功能描述:雙向可控硅 Bi-Directional RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 開啟狀態(tài) RMS 電流 (It RMS):16 A 不重復(fù)通態(tài)電流:120 A 額定重復(fù)關(guān)閉狀態(tài)電壓 VDRM:600 V 關(guān)閉狀態(tài)漏泄電流（在 VDRM IDRM 下）:5 uA 開啟狀態(tài)電壓: 保持電流（Ih 最大值）:45 mA 柵觸發(fā)電壓 (Vgt):1.3 V 柵觸發(fā)電流 (Igt):1.75 mA 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:TO-220AB |
| FKN2L80FBU | 功能描述:雙向可控硅 Bi-Directional RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 開啟狀態(tài) RMS 電流 (It RMS):16 A 不重復(fù)通態(tài)電流:120 A 額定重復(fù)關(guān)閉狀態(tài)電壓 VDRM:600 V 關(guān)閉狀態(tài)漏泄電流（在 VDRM IDRM 下）:5 uA 開啟狀態(tài)電壓: 保持電流（Ih 最大值）:45 mA 柵觸發(fā)電壓 (Vgt):1.3 V 柵觸發(fā)電流 (Igt):1.75 mA 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:TO-220AB |
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