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參數資料
| 型號： | FKN2L60 |
| 廠商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | 晶閘管 |
| 英文描述： | Bi-Directional Triode Thyristor Planar Silicon |
| 中文描述： | 600 V, 1.5 A, TRIAC, TO-92 |
| 封裝： | TO-92, 3 PIN |
| 文件頁數： | 6/7頁 |
| 文件大小： | 127K |
| 代理商： | FKN2L60 |
2004 Fairchild Semiconductor Corporation
Rev. A, April 2004
F
Dimensions in Millimeters
Package Dimension
0.46
±
0.10
1.27TYP
[1.27
±
0.20
]
(R2.29)
3
1.27TYP
[1.27
±
0.20
]
3.60
±
0.20
1
±
0
1
±
0
(
4
±
0
4.58
+0.25
0.38
+0.10
0
+
–
TO-92
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FKN2L80 | Bi-Directional Triode Thyristor Planar Silicon |
| FKPF10N80 | Application Explanation |
| FKPF12N60 | Bi-Directional Triode Thyristor Planar Silicon |
| FKPF12N80 | Application Explanation |
| FKPF2N80 | Header; No. of Contacts:8; Pitch Spacing:2.54mm; No.of Rows:2; |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| FKN2L60BU | 功能描述:雙向可控硅 TBD RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 開啟狀態 RMS 電流 (It RMS):16 A 不重復通態電流:120 A 額定重復關閉狀態電壓 VDRM:600 V 關閉狀態漏泄電流（在 VDRM IDRM 下）:5 uA 開啟狀態電壓: 保持電流（Ih 最大值）:45 mA 柵觸發電壓 (Vgt):1.3 V 柵觸發電流 (Igt):1.75 mA 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:TO-220AB |
| FKN2L60FBU | 功能描述:雙向可控硅 Bi-Di Triode Thyristor Planar Sil RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 開啟狀態 RMS 電流 (It RMS):16 A 不重復通態電流:120 A 額定重復關閉狀態電壓 VDRM:600 V 關閉狀態漏泄電流（在 VDRM IDRM 下）:5 uA 開啟狀態電壓: 保持電流（Ih 最大值）:45 mA 柵觸發電壓 (Vgt):1.3 V 柵觸發電流 (Igt):1.75 mA 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:TO-220AB |
| FKN2L80 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:Bi-Directional Triode Thyristor Planar Silicon |
| FKN2L80BU | 功能描述:雙向可控硅 Bi-Directional RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 開啟狀態 RMS 電流 (It RMS):16 A 不重復通態電流:120 A 額定重復關閉狀態電壓 VDRM:600 V 關閉狀態漏泄電流（在 VDRM IDRM 下）:5 uA 開啟狀態電壓: 保持電流（Ih 最大值）:45 mA 柵觸發電壓 (Vgt):1.3 V 柵觸發電流 (Igt):1.75 mA 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:TO-220AB |
| FKN2L80FBU | 功能描述:雙向可控硅 Bi-Directional RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 開啟狀態 RMS 電流 (It RMS):16 A 不重復通態電流:120 A 額定重復關閉狀態電壓 VDRM:600 V 關閉狀態漏泄電流（在 VDRM IDRM 下）:5 uA 開啟狀態電壓: 保持電流（Ih 最大值）:45 mA 柵觸發電壓 (Vgt):1.3 V 柵觸發電流 (Igt):1.75 mA 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:TO-220AB |
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