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參數(shù)資料
型號(hào): FLL410IK-4C
廠商: FUJITSU LTD
元件分類: 功率晶體管
英文描述: L-Band High Power GaAs FET
中文描述: L BAND, GaAs, N-CHANNEL, RF POWER, JFET
封裝: HERMETIC SEALED PACKAGE-2
文件頁(yè)數(shù): 4/6頁(yè)
文件大小: 248K
代理商: FLL410IK-4C
FLL410IK-4C
4
BOARD LAYOUT(Reference)
ε
r=3.5 , t=0.6mm
Unit : mm
<INPUT SIDE>
<OUTPUT SIDE>
εr=3.5
εr=3.5
L-Band High Power GaAs FET
相關(guān)PDF資料
PDF描述
FLL57MK L-Band Medium & High Power GaAs FET
FLL600IQ-2C L-Band High Power GaAs FET
FLL600IQ-2 Push-Pull Configuration, Broad Frequency Range: 800 to 2000 MHz, Suitable for class AB operation
FLL600IQ-3 L-Band Medium & High Power GaAs FET
FLL810IQ-3C L-Band High Power GaAs FET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
FLL500IQ-2 制造商:FUJITSU 功能描述:
FLL500IQ-3 制造商:FUJITSU 功能描述:
FLL57MK 制造商:SUMITOMO ELECTRIC Device Innovations Inc 功能描述:Single-end,L-Band, 11.5dB, 2.3GHz, 990mA, Bulk
FLL600IQ-2 制造商:FUJITSU 制造商全稱:Fujitsu Component Limited. 功能描述:Push-Pull Configuration, Broad Frequency Range: 800 to 2000 MHz, Suitable for class AB operation
FLL600IQ-2C 制造商:EUDYNA 制造商全稱:Eudyna Devices Inc 功能描述:L-Band High Power GaAs FET
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