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參數資料
| 型號： | FMB200 |
| 廠商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | PNP Multi-Chip General Purpose Amplifier |
| 中文描述： | 500 mA, 45 V, 2 CHANNEL, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封裝： | SUPERSOT-6 |
| 文件頁數： | 3/4頁 |
| 文件大小： | 50K |
| 代理商： | FMB200 |
F
Typical Characteristics
(continued)
Base-Emitter Saturation
Voltage vs Collector Current
0.1
1
10
100
300
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
I - COLLECTOR CURRENT (mA)
V
B
β
= 10
25 °C
- 40 oC
125 oC
Base Emitter ON Voltage vs
Collector Current
0.1
1
10
100 200
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
I - COLLECTOR CURRENT (mA)
V
B
V = 5V
25 °C
- 40 oC
125 oC
Collector-Cutoff Current
vs. Ambient Temperature
25
50
75
100
125
0.01
0.1
1
10
100
T - AMBIENT TEMPERATURE ( C)
I
C
o
V = 50V
C
Collector-Emitter Breakdown
Voltage with Resistance
Between Emitter-Base
0.1
1
10
100
1000
70
75
80
85
90
95
RESISTANCE (k )
B
Collector Saturation Region
100
300
700
2000 4000
0
1
2
3
4
I - BASE CURRENT (uA)
V
C
50 mA
300 mA
100 uA
Ta = 25°C
Ic =
Input and Output Capacitance
vs Reverse Voltage
0.1
1
10
100
10
100
V - COLLECTOR VOLTAGE(V)
C
Cib
Cob
f = 1.0 MHz
PNP Multi-Chip General Purpose Amplifier
(continued)
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FMB2222A | NPN Multi-Chip General Purpose Amplifier(NPN多片通用放大器) |
| FMB2227A | NPN & PNP Complementary Dual Transistor SuperSOT-6 Surface Mount Package |
| FMB2227A | NPN & PNP Complementary Dual Transistor SuperSOT-6 Surface Mount Package |
| FMB2907A | PNP Multi-Chip General Purpose Amplifier(PNP多片通用放大器) |
| FMB3904 | NPN General Purpose Amplifier |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| FMB200_Q | 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP Multi-Chip Trans General Purpose RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| FMB20DYHR | 制造商:Sullins Connector Solutions 功能描述:CONN EDGE DUAL .050 TH 40POS |
| FMB-2204 | 制造商:Sanken Electric Co Ltd 功能描述:Bulk 制造商:Sanken Electric Co Ltd 功能描述:Box |
| FMB-2206 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:Schottky Barrier Diodes |
| FMB2222A | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Multi-Chip Trans General Purpose RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
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