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參數資料
| 型號： | FMB200 |
| 廠商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | PNP Multi-Chip General Purpose Amplifier |
| 中文描述： | 500 mA, 45 V, 2 CHANNEL, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封裝： | SUPERSOT-6 |
| 文件頁數： | 4/4頁 |
| 文件大?。?/td> | 50K |
| 代理商： | FMB200 |
F
Typical Characteristics
(continued)
Gain Bandwidth Product
vs Collector Current
P 68
1
10
20
50
100 150
0
10
20
30
40
I - COLLECTOR CURRENT (mA)
f
T
Vce
Switching Times vs
Collector Current
10
20
I - COLLECTOR CURRENT (mA)
30
50
100
200
300
0
30
60
90
120
150
180
210
240
270
300
T
IB1 = IB2 = Ic / 10
V = 10 V
t
s
t
d
t
f
t
r
PNP Multi-Chip General Purpose Amplifier
(continued)
Power Dissipation vs
Ambient Temperature
0
25
50
TEMPERATURE ( C)
75
100
125
150
0
0.25
0.5
0.75
1
P
D
SOT-6
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FMB2222A | NPN Multi-Chip General Purpose Amplifier(NPN多片通用放大器) |
| FMB2227A | NPN & PNP Complementary Dual Transistor SuperSOT-6 Surface Mount Package |
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| FMB2907A | PNP Multi-Chip General Purpose Amplifier(PNP多片通用放大器) |
| FMB3904 | NPN General Purpose Amplifier |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| FMB200_Q | 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP Multi-Chip Trans General Purpose RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| FMB20DYHR | 制造商:Sullins Connector Solutions 功能描述:CONN EDGE DUAL .050 TH 40POS |
| FMB-2204 | 制造商:Sanken Electric Co Ltd 功能描述:Bulk 制造商:Sanken Electric Co Ltd 功能描述:Box |
| FMB-2206 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:Schottky Barrier Diodes |
| FMB2222A | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Multi-Chip Trans General Purpose RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
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