- 您現在的位置：買賣IC網 > PDF目錄375858 > FMC6G10US60 (FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP) Sweep Function Generator; Bandwidth Max:20MHz; Frequency Max:20MHz; Frequency Min:0.1Hz; Waveforms:27 Built-in RoHS Compliant: NA PDF資料下載
參數資料
| 型號： | FMC6G10US60 |
| 廠商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | IGBT 晶體管 |
| 英文描述： | Sweep Function Generator; Bandwidth Max:20MHz; Frequency Max:20MHz; Frequency Min:0.1Hz; Waveforms:27 Built-in RoHS Compliant: NA |
| 中文描述： | 10 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT |
| 封裝： | 21PM-AA, 21 PIN |
| 文件頁數： | 7/9頁 |
| 文件大小： | 649K |
| 代理商： | FMC6G10US60 |
2001 Fairchild Semiconductor Corporation
FMC6G10US60 Rev. A3
F
Fig 20. Reverse Recovery Characteristics
Fig 19. Forward Characteristics
2
4
6
8
10
12
0.1
1
10
20
Common Cathode
di/dt = 20A/
T
C
= 25
℃
T
C
= 100
℃
I
rr
T
rr
P
R
Forward Current, I
F
[A]
0
1
2
3
4
0
5
10
15
20
25
30
35
40
Common Cathode
V
GE
= 0V
T
C
= 25
℃
T
C
= 125
℃
F
Forward Voltage, V
F
[V]
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FMC6G15US60 | Compact & Complex Module |
| FMC6G20US60 | Multi-Function Generator RoHS Compliant: NA |
| FMC6G30US60 | Function Generator; Bandwidth Max:120MHz; Amplitude Accuracy :0.01dB; Frequency Max:120MHz; Frequency Min:0.1Hz; Waveforms:27 Built-in RoHS Compliant: NA |
| FMC6G50US60 | Signal Generator; Signal Generator Type:ARB/Frequency/Signal; Bandwidth Max:21.5MHz; Modulation Type:Amplitude/Frequency; Sweep Rate Range:0 Hz to 21.5 MHz lin/log; Sweep Time Range:1 mSec to 60 Sec; Accuracy:0.001% Frequency |
| FMC7G15US60 | Compact & Complex Module |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| FMC6G15US60 | 功能描述:IGBT 模塊 RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝: |
| FMC6G20US60 | 功能描述:IGBT 模塊 RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝: |
| FMC6G30US60 | 功能描述:IGBT 模塊 RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝: |
| FMC6G50US60 | 功能描述:IGBT 模塊 RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝: |
| FMC700 | 制造商:Black Box Corporation 功能描述:CAT 7 OUTLET 4 PORT JACK |
發布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。