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參數資料
| 型號： | FMG1G75US60L |
| 廠商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | IGBT 晶體管 |
| 英文描述： | Molding Type Module |
| 中文描述： | 75 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT |
| 封裝： | 7PM-GA, 7 PIN |
| 文件頁數： | 4/9頁 |
| 文件大小： | 656K |
| 代理商： | FMG1G75US60L |
2002 Fairchild Semiconductor Corporation
FMG1G75US60L Rev. A
F
0
2
4
6
8
0
20
40
60
80
100
120
140
160
180
200
20V
12V
15V
Vge = 10V
Common Emitter
T
C
= 25
℃
C
Collector - Emitter Voltage, V
CE
[V]
0.3
1
10
20
0
40
80
120
160
200
Common Emitter
V
GE
= 15V
T
C
= 25
℃
T
C
= 125
℃
C
Collector - Emitter Voltage, V
CE
[V]
0
4
8
12
16
20
0
4
8
12
16
20
Common Emitter
T
C
= 125
℃
150A
75A
Ic = 40A
C
Gate - Emitter Voltage, V
GE
[V]
0
4
8
12
16
20
0
4
8
12
16
20
Common Emitter
T
C
= 25
℃
150A
75A
Ic = 40A
C
Gate - Emitter Voltage, V
GE
[V]
0
20
40
60
80
100
0.1
1
10
100
1000
Duty cycle : 50%
Tc = 100
℃
Power Dissipation = 100W
V
= 300V
Load Current : peak of square wave
Frequency [Khz]
L
0
30
60
90
120
150
0
1
2
3
4
5
150A
75A
I
C
= 40A
Common Emitter
V
GE
= 15V
C
Case Temperature, Tc [
℃
]
Fig 1. Typical Output Characteristics
Fig 2. Typical Saturation Voltage
Characteristics
Fig 3. Saturation Voltage vs. Case
Temperature at Variant Current Level
Fig 4. Load Current vs. Frequency
Fig 5. Saturation Voltage vs. V
GE
Fig 6. Saturation Voltage vs. V
GE
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
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參數描述 |
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