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參數資料
| 型號： | FMM6G30US60 |
| 廠商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | IGBT 晶體管 |
| 英文描述： | Compact & Complex Module |
| 中文描述： | 30 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT |
| 封裝： | 24PM-AA, 24 PIN |
| 文件頁數： | 4/9頁 |
| 文件大小： | 970K |
| 代理商： | FMM6G30US60 |
2003 Fairchild Semiconductor Corporation
FMM6G30US60 Rev. A
F
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
1
0.005
0.01
0.1
1
5
IGBT :
DIODE :
T
℃
/
Rectangular Pulse Duration [sec]
0.1
1
10
0
1000
2000
3000
4000
5000
C
V
om
m
on Em
itter
G
C
= 25
o
E
= 0 V, f = 1 M
C
H
z
T
C
res
C
oes
C
ies
C
ollector - Em
itter Voltage, V
C
E
[V]
C
a
0
1
2
3
4
5
6
0
20
40
60
80
100
20V
18V
16V
15V
14V
12V
V
GE
= 10V
C
ollector - Em
itter Voltage, V
C
E(sat)
[V]
C
o
u
C
]
Common Emitter
T
C
= 25
o
C
1
10
0
20
40
60
80
100
120
Common Emitter
V
GE
= 15 V
T
C
= 25
℃
━━
T
C
= 125
℃
------
C
ollector - Em
itter Voltage, V
C
E(sat)
[V]
C
o
u
C
]
-50
0
50
100
150
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
30 A
15 A
60 A
C
o
i
C
E
C
ase Tem
perature, T
C
[
o
C
]
Common Emitter
V
GE
= 15 V
0
1
2
3
4
5
6
0
20
40
60
80
100
20V
18V
15V
16V
14V
12V
V
GE
= 10V
C
ollector - Em
itter Voltage, V
C
E(sat)
[V]
C
o
u
C
]
Common Emitter
T
C
= 125
o
C
Fig 1. Typical Output Characteristics
Fig 2. Typical Saturation Voltage
Characteristics
Fig 3. Typical Saturation Voltage
Characteristics
Fig 5. Transient Thermal Impedance
Fig 6. Capacitance Characteristics
Fig 4. Saturation Voltage vs. Case
Temperature at Variant Current Level
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FMM6G50US60 | Compact & Complex Module |
| FMM7G30US60N | Compact & Complex Module |
| FMMD2838 | SOT23 SILICON PLANAR HIGH SPEED SWITCHING COMMON CATHODE DIODE PAIR |
| FMMD6100 | SOT23 SILICON PLANAR HIGH SPEED SWITCHING COMMON CATHODE DIODE PAIR |
| FMMT2222-1BZ | SOT23 NPN SILICON PLANAR SWITCHING TRANSISTORS |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| FMM6G30US60S | 功能描述:IGBT 模塊 RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝: |
| FMM6G50US60 | 功能描述:IGBT 模塊 RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝: |
| FMM75-01F | 功能描述:分立半導體模塊 75 Amps 100V RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產品:Thyristor Power Modules 類型:Phase Controls 安裝風格:Screw 封裝 / 箱體:DT61 封裝: |
| FMM7G20US60I | 功能描述:IGBT 模塊 600V 20A Module RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝: |
| FMM7G20US60N | 功能描述:IGBT 模塊 600V 20A Module RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝: |
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