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參數資料
| 型號： | FMMT3906 |
| 廠商： | ZETEX PLC |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | SOT23 PNP SILICON PLANAR SWITCHING TRANSISTORS |
| 中文描述： | 200 mA, 40 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 文件頁數： | 1/2頁 |
| 文件大?。?/td> | 174K |
| 代理商： | FMMT3906 |
C
B
E
SOT23 PNP SILICON PLANAR
SWITCHING TRANSISTORS
ISSUE 4 – MARCH 2000
PARTMARKING DETAILS -
FMMT3905 - 2W
FMMT3906 - 2A
COMPLEMENTARY TYPES -
FMMT3905 - FMMT3903
FMMT3906 - FMMT3904
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.
PARAMETER
SYMBOL
VALUE
UNIT
Collector-Base Voltage
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
C
P
tot
T
j
:T
stg
-40
V
CollectorEmitter Voltage
-40
V
Emitter-Base Voltage
-5
V
Continuous Collector Current
-200
mA
Power Dissipation at T
amb
=25°C
Operating and Storage Temperature Range
330
mW
-55 to +150
°C
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at T
amb
= 25°C unless otherwise stated).
PARAMETER
SYMBOL
FMMT3905
FMMT3906.
UNIT CONDITIONS.
MIN
MAX
MIN
MAX
BreakdownVoltages V
(BR)CBO
-40
-40
V
I
C
=-10
μ
A, I
E
=0
V
(BR)CEO
-40
-40
V
I
C
=-1mA, I
B
=0*
I
E
=-10
μ
A, I
C
=0
V
(BR)EBO
-5
-5
V
Cut-Off Currents
I
CEX
-50
-50
nA
V
CE
=-30V, V
BE(off)
=-3V
I
BEX
-50
-50
nA
V
CE
=-30V, V
EB(off)
=-3V
Static Forward
Current
Transfer Ratio
h
FE
30
40
50
30
15
150
60
80
100
60
30
300
I
C
=-0.1mA, V
=-1V*
I
C
=-1mA, V
CE
=-1V*
I
C
=-10mA, V
CE
=-1V*
I
C
=-50mA, V
CE
=-1V*
I
C
=-100mA, V
CE
=-1V*
Saturation
Voltages
V
CE(sat)
-0.25
-0.4
0.25
0.4
V
V
I
C
=-10mA, I
B
=-1mA*
I
C
=-50mA, I
B
=-5mA*
V
BE(sat)
-0.65
-0.85
-0.95
-0.65
-0.85
-0.95
V
V
I
C
=-10mA, I
B
=-1mA*
I
C
=-50mA, I
B
=-5mA*
Transition
Frequency
f
T
200
250
MHz I
=-10mA, V
CE
=-20V
f=100MHz
Output Capacitance C
obo
4.5
4.5
pF
V
CB
=-5V, I
E
=0, f=100KHz
Input Capacitance
C
ibo
10
10
pF
V
BE
=0.5V, I
C
=0, f=100KHz
Noise Figure
N
5
4
dB
I
C
=-200mA, V
CE
=-5V
Rg=2k
, f=30Hz to 15kHz
at -3dB points
*Measured under pulsed conditions. Pulse width=200
μ
s. Duty cycle
=1%
FMMT3905
FMMT3906
PAGE NUMBER
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FMMT4125 | SOT23 PNP SILICON PLANAR SWITCHING TRANSISTOR |
| FMMT413 | NPN SILICON PLANAR AVALANCHE TRANSISTOR |
| FMMT415 | NPN SILICON PLANAR AVALANCHE TRANSISTOR |
| FMMT417 | NPN SILICON PLANAR AVALANCHE TRANSISTOR |
| FMMT451 | NPN SILICON PLANAR HIGH PERFROMANCE TRANSISTOR |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| FMMT3906TA | 功能描述:兩極晶體管 - BJT - RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| FMMT3906TC | 功能描述:兩極晶體管 - BJT - RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| FMMT4123 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:SOT23 NPN SILICON PLANAR SWITCHING TRANSISTOR |
| FMMT4123TA | 功能描述:兩極晶體管 - BJT - RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| FMMT4123TC | 功能描述:兩極晶體管 - BJT - RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
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