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參數資料
| 型號： | FMMT4125 |
| 廠商： | ZETEX PLC |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | SOT23 PNP SILICON PLANAR SWITCHING TRANSISTOR |
| 中文描述： | 200 mA, 30 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封裝： | SOT-23, 3 PIN |
| 文件頁數： | 1/1頁 |
| 文件大小： | 27K |
| 代理商： | FMMT4125 |
SOT23 PNP SILICON PLANAR
SWITCHING TRANSISTOR
ISSUE 2 MARCH 1995
%
PARTMARKING DETAIL
ZD
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.
PARAMETER
SYMBOL
VALUE
UNIT
Collector-Base Voltage
V
CBO
-30
V
Collector-Emitter Voltage
V
CEO
-30
V
Emitter-Base Voltage
V
EBO
-4
V
Continuous Collector Current
I
C
-200
mA
Power Dissipation at T
amb
=25°C
P
tot
330
mW
Operating and Storage Temperature Range
T
j
:T
stg
-55 to +150
°C
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at T
amb
= 25°C).
PARAMETER
SYMBOL
Collector-Base
Breakdown Voltage
Collector-Emitter
Breakdown Voltage
Emitter-Base
Breakdown Voltage
Collector Cut-Off Current
I
CBO
Emitter Cut-Off Current
I
EBO
Collector-Emitter
Saturation Voltage
Base-Emitter
SaturationVoltage
Static Forward
Current Transfer Ratio
Transistion Frequency
f
T
Output Capacitance
C
obo
Input Capacitance
C
ibo
Noise Figure
N
MIN.
-30
MAX.
UNIT
V
CONDITIONS.
I
C
=-10
μ
A
V
(BR)CBO
V
(BR)CEO
-30
V
I
C
=-1mA*
V
(BR)EBO
-4
V
I
E
=-10
μ
A
-50
-50
0.4
nA
nA
V
V
CB
=-20V
VEB=-3V
I
C
=-50mA, I
B
=-5mA*
V
CE(sat)
V
BE(sat)
0.95
V
IC=-50mA, I
B
=-5mA*
h
FE
50
25
200
150
I
C
=-2mA, V
CE
=-1V*
I
C
=-50mA, V
CE
=-1V*
I
C
=-10mA, V
CE
=-20V, f=100MHz
V
CB
=-5V, I
E
=0, f=140KHz
V
BE
=-0.5V, I
E
=0, f=140KHz
I
=-200
μ
A, V
=-5V, R
=-2k
f=30Hz to 15KHz at 3dB points
I
C
=-2mA, V
CE
=-1V, f=1KHz
MHz
pF
pF
dB
4.5
10
5
Small Signal Current
Transfer
SWITCHING CHARACTERISTICS (at T
amb
= 25°C).
PARAMETER
Delay Time
Rise Time
Storage Time
Fall Time
*Measured under pulsed conditions. Pulse width=300
μ
s. Duty cycle
≤
2%
h
fe
50
200
SYMBOL
t
d
t
r
t
s
t
f
TYP.
UNIT
CONDITIONS
V
CC
=-3V, V
BE(off)
=-0.5V
I
C
B1
V
CC
=-3V, I
=-10mA
I
B1
=I
B2
=-1mA
25
18
140
15
ns
ns
ns
ns
FMMT4125
C
B
E
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FMMT413 | NPN SILICON PLANAR AVALANCHE TRANSISTOR |
| FMMT415 | NPN SILICON PLANAR AVALANCHE TRANSISTOR |
| FMMT417 | NPN SILICON PLANAR AVALANCHE TRANSISTOR |
| FMMT451 | NPN SILICON PLANAR HIGH PERFROMANCE TRANSISTOR |
| FMMT455 | NPN SILICON PLANAR HIGH PERFORMANCE TRANSISTOR |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| FMMT4125TA | 功能描述:兩極晶體管 - BJT - RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| FMMT4125TC | 功能描述:兩極晶體管 - BJT - RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| FMMT4126 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:Obsolete |
| FMMT4126TA | 功能描述:兩極晶體管 - BJT - RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| FMMT4126TC | 功能描述:兩極晶體管 - BJT - RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
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