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參數資料
| 型號： | FMMT455 |
| 廠商： | ZETEX PLC |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | NPN SILICON PLANAR HIGH PERFORMANCE TRANSISTOR |
| 中文描述： | 1000 mA, 140 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 文件頁數： | 1/2頁 |
| 文件大小： | 136K |
| 代理商： | FMMT455 |
SOT23 NPN SILICON PLANAR
HIGH PERFORMANCE TRANSISTOR
ISSUE 3 FEBRUARY 1996
FEATURES
*
140 Volt V
CEO
*
1 Amp continuous current
*
P
tot
= 500 mW
PARTMARKING DETAIL
455
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.
PARAMETER
SYMBOL
VALUE
UNIT
Collector-Base Voltage
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
CM
I
C
I
B
P
tot
T
j
:T
stg
160
V
Collector-Emitter Voltage
140
V
Emitter-Base Voltage
5
V
Peak Pulse Current
2
A
Continuous Collector Current
1
A
Base Current
200
mA
Power Dissipation at T
amb
=25°C
Operating and Storage Temperature Range
500
mW
-55 to +150
°C
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at T
amb
= 25°C).
PARAMETER
SYMBOL
MIN.
MAX.
UNIT
CONDITIONS.
Collector-Base
Breakdown Voltage
V
(BR)CBO
160
V
I
C
=100
μ
A
Collector-Emitter
Sustaining Voltage
V
CEO(sus)
140
V
I
C
=10mA*
Emitter-Base
Breakdown Voltage
V
(BR)EBO
5
V
I
E
=100
μ
A
Collector Cut-Off Current
I
CBO
0.1
μ
A
V
CB
=140V
Emitter Cut-Off Current
I
EBO
0.1
μ
A
V
EB
=4V
Collector-Emitter
Saturation Voltage
V
CE(sat)
0.7
V
I
C
=150mA, I
B
=15mA
Static Forward Current
Transfer Ratio
h
FE
100
10 Typ
300
I
C
=150mA, V
=10V*
I
C
=1A, V
CE
=10V*
Transition
Frequency
f
T
100
MHz
I
=50mA, V
CE
=10V
f=100MHz
Output Capacitance
C
obo
15
pF
V
CB
=10V, f=1MHz
* Measured under pulsed conditions. Pulse width=300
μ
s. Duty cycle
≤
2%
Spice parameter data is available upon request for this device
FMMT455
SOT23
C
B
E
3 - 110
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FMMT458 | NPN SILICON PLANAR HIGH VOLTAGE TRANSISTOR |
| FMMT459 | 450V SILICON NPN HIGH VOLTAGE SWITCHING TRANSISTOR |
| FMMT459TA | 450V SILICON NPN HIGH VOLTAGE SWITCHING TRANSISTOR |
| FMMT459TC | 450V SILICON NPN HIGH VOLTAGE SWITCHING TRANSISTOR |
| FMMT489 | NPN SILICON PLANAR MEDIUM POWER TRANSISTOR |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| FMMT455TA | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN High Voltage RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| FMMT455TC | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Medium Power RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| FMMT458 | 制造商:Diodes Incorporated 功能描述:TRANSISTOR NPN SOT-23 制造商:Diodes Incorporated 功能描述:TRANSISTOR, NPN, SOT-23 制造商:Diodes Incorporated 功能描述:BIPOLAR TRANSISTOR, NPN, 400V; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:400V; Transition Frequency Typ ft:50MHz; Power Dissipation Pd:500mW; DC Collector Current:225mA; DC Current Gain hFE:100; No. of Pins:3 ;RoHS Compliant: Yes |
| FMMT458 | 制造商:Diodes Incorporated 功能描述:TRANSISTOR NPN SOT-23 制造商:Diodes Incorporated 功能描述:TRANSISTOR, NPN SOT-23 |
| FMMT458TA | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN High Voltage RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
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