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參數資料
| 型號： | FMMT413 |
| 廠商： | ZETEX PLC |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | NPN SILICON PLANAR AVALANCHE TRANSISTOR |
| 中文描述： | 100 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 文件頁數： | 1/2頁 |
| 文件大小： | 98K |
| 代理商： | FMMT413 |
SOT23 NPN SILICON PLANAR
AVALANCHE TRANSISTOR
PROVISIONAL DATASHEET ISSUE 2 MARCH 1996
FEATURES
*
Avalanche mode operation
*
50A Peak avalanche current
*
Low inductance packaging
APPLICATIONS
*
Laser LED drivers
*
Fast edge generation
*
High speed pulse generators
PARTMARKING DETAIL - 413
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.
PARAMETER
SYMBOL
VALUE
UNIT
Collector-Base Voltage
V
CBO
150
V
Collector-Emitter Voltage
V
CEO
50
V
Emitter-Base Voltage
V
EBO
6
V
Continuous Collector Current
I
C
100
mA
Peak Collector Current (25ns Pulse Width)
I
CM
50
A
Power Dissipation
P
tot
330
mW
Operating and Storage Temperature Range
T
j
:T
stg
-55 to +150
°C
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at T
amb
= 25°C unless otherwise stated).
PARAMETER
SYMBOL
MIN.
TYP.
MAX.
UNIT
CONDITIONS.
Collector-Emitter
Breakdown Voltage
V
(BR)CES
150
V
I
C
=100
μ
A
Collector-Emitter
Breakdown Voltage
V
CEO(sus)
50
V
I
C
=10mA
Emitter-Base
Breakdown Voltage
V
(BR)EBO
6
V
I
E
=100
μ
A
Collector Cut-Off Current
I
CBO
0.1
μ
A
V
CB
=120V
Emitter Cut-Off Current
I
EBO
0.1
μ
A
V
EB
=4V
Collector-Emitter
Saturation Voltage
V
CE(sat)
0.15
V
I
C
=10mA, I
B
=1mA
Base-Emitter
Saturation Voltage
V
BE(sat)
0.8
V
I
C
=10mA, I
B
=1mA
Current in Second
Breakdown (Pulsed)
I
USB
22
31
A
A
V
C
=110V, C
CE
=4.7nF*
V
C
=130V, C
CE
=4.7nF*
Static Forward Current
Transfer Ratio
h
FE
50
I
C
=10mA, V
CE
=10V
*Measured within a circuit possessing an approximate loop inductance of 12nH. The I
(USB)
monitor
circuitry reflects 0.15 Ohm into the Collector-Emitter Discharge Loop
The FMMT413 device is a development product. Samples availability and release to production
scheduled for June 1996
FMMT413
C
B
E
SOT23
3 - 102
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FMMT415 | NPN SILICON PLANAR AVALANCHE TRANSISTOR |
| FMMT417 | NPN SILICON PLANAR AVALANCHE TRANSISTOR |
| FMMT451 | NPN SILICON PLANAR HIGH PERFROMANCE TRANSISTOR |
| FMMT455 | NPN SILICON PLANAR HIGH PERFORMANCE TRANSISTOR |
| FMMT458 | NPN SILICON PLANAR HIGH VOLTAGE TRANSISTOR |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| FMMT413_06 | 制造商:ZETEX 制造商全稱:ZETEX 功能描述:SOT23 NPN silicon planar avalanche transistor |
| FMMT413TA | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Avalanche RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| FMMT413TC | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Avalanche RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| FMMT413TD | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Avalanche RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| FMMT415 | 制造商:ZETEX 制造商全稱:ZETEX 功能描述:NPN SILICON PLANAR AVALANCHE TRANSISTOR |
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