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參數資料
| 型號： | FP15R12KT3 |
| 廠商： | INFINEON TECHNOLOGIES AG |
| 元件分類： | IGBT 晶體管 |
| 英文描述： | IGBT-Wechselrichter / IGBT-inverter |
| 中文描述： | 25 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT |
| 封裝： | MODULE-24 |
| 文件頁數： | 10/11頁 |
| 文件大小： | 305K |
| 代理商： | FP15R12KT3 |
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Technische Information / technical information
FP15R12KT3
IGBT-Module
IGBT-modules
prepared by: Andreas Schulz
approved by: Robert Severin
date of publication: 2003-12-2
revision: 2.1
Vorlufige Daten
preliminary data
Schaltplan / circuit diagram
Gehuseabmessungen / package outlines
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FP20R06KL4 | IGBT-Module |
| FP25R12KE3 | IGBT-Module |
| FP40R12KE3G | Automotive Low-Cost Non-Volatile FPGA Family; Voltage: 1.2V; Grade: -5; Package: Lead-Free ftBGA; Pins: 256; Temperature: AUTO; LUTs (k): 17 |
| FP50N06L | 50A, 60V, 0.022 Ohm, Logic Level N-Channel Power MOSFETs |
| FP50R12KE3 | Elektrische Eigenschaften / Electrical properties |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| FP15R12NT3 | 功能描述:IGBT 模塊 N-CH 1.2KV 25A RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝: |
| FP15R12W1T3 | 功能描述:IGBT 模塊 N-CH 1.2KV 25A RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝: |
| FP15R12W1T4 | 功能描述:IGBT 模塊 IGBT-MODULE RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝: |
| FP15R12W1T4_B11 | 功能描述:IGBT 模塊 IGBT 1200V 15A RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝: |
| FP15R12W1T4_B3 | 功能描述:IGBT 模塊 IGBT 1200V 15A RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝: |
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