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參數資料
| 型號： | FP15R12KT3 |
| 廠商： | INFINEON TECHNOLOGIES AG |
| 元件分類： | IGBT 晶體管 |
| 英文描述： | IGBT-Wechselrichter / IGBT-inverter |
| 中文描述： | 25 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT |
| 封裝： | MODULE-24 |
| 文件頁數： | 7/11頁 |
| 文件大小： | 305K |
| 代理商： | FP15R12KT3 |
7
Technische Information / technical information
FP15R12KT3
IGBT-Module
IGBT-modules
prepared by: Andreas Schulz
approved by: Robert Severin
date of publication: 2003-12-2
revision: 2.1
Vorlufige Daten
preliminary data
Schaltverluste IGBT-Wechselr. (typisch)
switching losses IGBT-Inverter (typical)
Eóò = f (R), Eó = f (R)
V = ±15 V, I = 15 A, V = 600 V, TY = 125°C
R []
E
40
50
60
70
80
90
100 110 120 130 140
3,0
2,5
2,0
1,5
1,0
0,5
0,0
Eóò
Eó
Transienter Wrmewiderstand IGBT-Wechselr.
transient thermal impedance IGBT-inverter
Zúì = f (t)
t [s]
Z
0,001
0,01
0,1
1
10
0,01
0,1
1
10
Zúì : IGBT
i:
rí[K/W]:
í[s]:
τ
1
0,1363
0,003345
2
0,5453
0,0282
3
0,3066
0,1128
4
0,2118
0,282
Sicherer Rückwrts-Arbeitsbereich IGBT-Wr. (RBSOA)
reverse bias safe operating area IGBT-inv. (RBSOA)
I = f (V)
V = ±15 V, Ró = 75 , TY = 125°C
V [V]
I
0
200
400
600
800
1000
1200
1400
35
30
25
20
15
10
5
0
I, Modul
I, Chip
Durchlakennlinie der Diode-Wechselr. (typisch)
forward characteristic of diode-inverter (typical)
I = f (V)
V [V]
I
0,0
0,5
1,0
1,5
2,0
2,5
3,0
30
25
20
15
10
5
0
TY = 25°C
TY = 125°C
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PDF描述 |
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