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參數資料
| 型號： | FP15R12KT3 |
| 廠商： | INFINEON TECHNOLOGIES AG |
| 元件分類： | IGBT 晶體管 |
| 英文描述： | IGBT-Wechselrichter / IGBT-inverter |
| 中文描述： | 25 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT |
| 封裝： | MODULE-24 |
| 文件頁數： | 5/11頁 |
| 文件大小： | 305K |
| 代理商： | FP15R12KT3 |
5
Technische Information / technical information
FP15R12KT3
IGBT-Module
IGBT-modules
prepared by: Andreas Schulz
approved by: Robert Severin
date of publication: 2003-12-2
revision: 2.1
Vorlufige Daten
preliminary data
Modul / module
Isolations-Prüfspannung
insulation test voltage
RMS, f = 50 Hz, t = 1 min
V￥
2,5
kV
Material Modulgrundplatte
material of module baseplate
Cu
Material für innere Isolation
material for internal insulation
AIè0é
Kriechstrecke
creepage distance
Kontakt - Kühlkrper / terminal to heatsink
Kontakt - Kontakt / terminal to terminal
10,0
mm
Luftstrecke
clearance distance
Kontakt - Kühlkrper / terminal to heatsink
Kontakt - Kontakt / terminal to terminal
7,50
mm
Vergleichszahl der Kriechwegbildung
comparative tracking index
CTI
> 225
min.
typ.
max.
übergangs-Wrmewiderstand
thermal resistance, case to heatsink
pro Modul / per module
eèùút = 1 W/(m·K) / etèùt = 1 W/(m·K)
Rúì
0,02
K/W
Modulinduktivitt
stray inductance module
Lù
60
nH
Modulleitungswiderstand,
Anschlüsse - Chip
module lead resistance,
terminals - chip
T = 25°C, pro Schalter / per switch
Róó
Róó
4,00
3,00
m
Hchstzulssige Sperrschichttemperatur
maximum junction temperature
TY èà
150
°C
Temperatur im Schaltbetrieb
temperature under switching conditions
TY ó
-40
125
°C
Lagertemperatur
storage temperature
Tùú
-40
125
°C
Anzugsdrehmoment f. mech. Befestigung
mounting torque
Schraube / screw M5
M
3,00
-
6,00
Nm
Gewicht
weight
G
180
g
Mit dieser technischen Information werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine
Eigenschaften zugesichert. Sie gilt in Verbindung mit den zugehrigen technischen Erluterungen.
This technical information specifies semiconductor devices but guarantees no characteristics.
It is valid with the appropriate technical explanations.
相關PDF資料 |
PDF描述 |
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相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
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| FP15R12W1T3 | 功能描述:IGBT 模塊 N-CH 1.2KV 25A RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝: |
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| FP15R12W1T4_B3 | 功能描述:IGBT 模塊 IGBT 1200V 15A RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝: |
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