- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄375872 > FP25R12KE3 (INFINEON TECHNOLOGIES AG) IGBT-Module PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號： | FP25R12KE3 |
| 廠商： | INFINEON TECHNOLOGIES AG |
| 元件分類： | IGBT 晶體管 |
| 英文描述： | IGBT-Module |
| 中文描述： | 40 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT |
| 封裝： | MODULE-24 |
| 文件頁數(shù)： | 5/11頁 |
| 文件大小： | 155K |
| 代理商： | FP25R12KE3 |
Technische Information / Technical Information
IGBT-Module
IGBT-Modules
FP25R12KE3
Vorlufige Daten
Preliminary data
I
C
V
CE
[V]
I
C
V
CE
[V]
Ausgangskennlinienfeld Wechselr. (typisch) I
C
= f (V
CE
)
Output characteristic Inverter (typical)
V
GE
= 15 V
0
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
0
0,5
1
1,5
2
2,5
3
3,5
4
4,5
5
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
0
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
0
0,5
1
1,5
2
2,5
3
3,5
4
4,5
5
Vge=19V
Vge=17V
Vge=15V
Vge=13V
Vge=11V
Vge=9V
Ausgangskennlinienfeld Wechselr. (typisch) I
C
= f (V
CE
)
Output characteristic Inverter (typical)
T
vj
= 125°C
5(11)
DB-PIM-IGBT3_1.xls
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FP40R12KE3G | Automotive Low-Cost Non-Volatile FPGA Family; Voltage: 1.2V; Grade: -5; Package: Lead-Free ftBGA; Pins: 256; Temperature: AUTO; LUTs (k): 17 |
| FP50N06L | 50A, 60V, 0.022 Ohm, Logic Level N-Channel Power MOSFETs |
| FP50R12KE3 | Elektrische Eigenschaften / Electrical properties |
| FP75R12KE3 | Elektrische Eigenschaften / Electrical properties |
| FPAL10SH60 | 16 Characters x 4 Lines, 5x7 Dot Matrix Character and Cursor |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| FP25R12KE3V1 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:IGBT Module |
| FP25R12KS4C | 功能描述:IGBT 晶體管 1200V 25A PIM RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube |
| FP25R12KS4CV2 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:IGBT Module |
| FP25R12KT3 | 功能描述:IGBT 模塊 N-CH 1.2KV 40A RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝: |
| FP25R12KT4 | 功能描述:IGBT 模塊 IGBT 1200V 25A RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝: |
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。