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參數資料
| 型號： | FPN560A |
| 廠商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | NPN Low Saturation Transistor |
| 中文描述： | 3000 mA, 60 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-226 |
| 文件頁數： | 2/4頁 |
| 文件大小： | 47K |
| 代理商： | FPN560A |
Electrical Characteristics
TA = 25
°
C unless otherwise noted
OFF CHARACTERISTICS
BV
CEO
Collector-Emitter Breakdown
Voltage
BV
CBO
Collector-Base Breakdown Voltage
BV
EBO
Emitter-Base Breakdown Voltage
I
CBO
Collector Cutoff Current
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min
Max
Units
I
C
= 10 mA, I
B
= 0
60
V
I
C
= 100
μ
A, I
E
= 0
I
E
= 100
μ
A, I
C
= 0
V
CB
= 30 V, I
E
= 0
V
CB
= 30 V, I
E
= 0, T
A
= 100
°
C
V
EB
= 4.0 V, I
C
= 0
80
5.0
V
V
nA
μ
A
nA
100
10
100
I
EBO
Emitter Cutoff Current
ON CHARACTERISTICS*
h
FE
DC Current Gain
I
C
= 100 mA, V
CE
= 2.0 V
I
C
= 500 mA, V
CE
= 2.0 V
560
560A
I
C
= 1.0 A, V
CE
= 2.0 V
I
C
= 2.0 A, V
CE
= 2.0 V
I
C
= 1.0 A, I
B
= 100 mA
I
C
= 2.0 A, I
B
= 200 mA
70
100
250
80
40
300
550
V
CE(
sat
)
Collector-Emitter Saturation Voltage
560
560A
300
350
300
1.25
1.0
mV
mV
mV
V
V
V
BE(
sat
)
V
BE(
on
)
Base-Emitter Saturation Voltage
Base-Emitter Saturation Voltage
I
C
= 1.0 A, I
B
= 100 mA
I
C
= 1.0 A, V
CE
= 2.0 V
SMALL SIGNAL CHARACTERISTICS
C
obo
Output Capacitance
F
T
Transition Frequency
V
CB
= 10 V, I
E
= 0, f = 1.0 MHz
I
C
= 100 mA, V
CE
= 5.0 V,
f = 100 MHz
30
pF
MHz
75
*
Pulse Test: Pulse Width
≤
300
μ
s, Duty Cycle
≤
2.0%
F
NPN Low Saturation Transistor
(continued)
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FPN630 | PNP Low Saturation Transistor |
| FPN630A | PNP Low Saturation Transistor |
| FPN660 | PNP Low Saturation Transistor |
| FPN660A | PNP Low Saturation Transistor |
| FPNH10 | NPN RF Transistor(NPN射頻晶體管) |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
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| FPN560A_D27Z | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Transistor Low Saturation RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| FPN560A_D75Z | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Transistor Low Saturation RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| FPN560A_Q | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Transistor Low Saturation RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| FPN-607PG | 制造商:FUJIKURA 制造商全稱:FUJIKURA 功能描述:Sensing element/Gauge |
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