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參數(shù)資料
| 型號： | FPN660 |
| 廠商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | PNP Low Saturation Transistor |
| 中文描述： | 3000 mA, 60 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-226AE |
| 封裝： | TO-226, 3 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 4/5頁 |
| 文件大小： | 57K |
| 代理商： | FPN660 |
Package Dimensions
F
Dimensions in Millimeters
2002 Fairchild Semiconductor Corporation
Rev. A2, November 2002
TO-226
S0.51-0.36;
S0.76-
0.36;
S1.40-1.14;
S1.40-1.14;
S4.70-4.32;
S2.41-2.13;
S4.45-3.81;
5" TYP
S1.52-1.02;
2" TYP
2" TYP
S7.73-7.10;
S7.87-7.37;
S15.61-14.47;
S1.65-1.27;
0.51
S0.48-0.30;
TO-226AE (95,99)
1
99
95
3
C
B
2
B
C
1
E
E
P
3
2
For leadformed option ordering,
refer to Tape & Reel data information.
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FPN660A | PNP Low Saturation Transistor |
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
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| FPN660A | 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP Transistor Low Saturation RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| FPN660A_D26Z | 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP Transistor Low Saturation RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| FPN660A_D27Z | 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP Transistor Low Saturation RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
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