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參數(shù)資料
型號: FQD18N20V2
廠商: FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類: JFETs
英文描述: 200V N-Channel MOSFET
中文描述: 15 A, 200 V, 0.14 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252
封裝: ROHS COMPLIANT, DPAK-3
文件頁數(shù): 4/9頁
文件大?。?/td> 615K
代理商: FQD18N20V2
2002 Fairchild Semiconductor Corporation
F
Rev. B1, August 2002
1 0
-5
1 0
-4
1 0
-3
1 0
-2
1 0
-1
1 0
0
1 0
1
1 0
-2
1 0
-1
1 0
0
N o te s :
1 . Z
θ
2 . D u ty F a c to r, D = t
1
/t
2
3 . T
J M
- T
C
= P
J C
(t) = 1 .5
/W M a x .
D M
* Z
θ
J C
(t)
s in g le p u ls e
D = 0 .5
0 .0 2
0 .0 1
0 .2
0 .0 5
0 .1
Z
θ
J
(
t
1
, S q u a re W a v e P u ls e D u ra tio n [s e c ]
25
50
75
100
125
150
0
5
10
15
20
I
D
,
T
C
, Case Temperature [
]
10
0
10
1
10
2
10
-1
10
0
10
1
10
2
DC
10 ms
1 ms
100 us
Operation in This Area
is Limited by R
DS(on)
Notes :
1. T
C
= 25
o
C
2. T
J
= 150
3. Single Pulse
o
C
I
D
,
V
DS
, Drain-Source Voltage [V]
Typical Characteristics
(Continued)
Figure 11. Transient Thermal Response Curve
t
1
P
DM
t
2
-100
-50
0
50
100
150
200
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
Notes :
1. V
GS
= 10 V
2. I
D
= 7.5 A
R
D
,
D
T
J
, Junction Temperature [
o
C]
-100
-50
0
50
100
150
200
0.8
0.9
1.0
1.1
1.2
Notes :
1. V
GS
= 0 V
2. I
D
= 250
μ
A
B
D
,
D
T
J
, Junction Temperature [
o
C]
Figure 9. Maximum Safe Operating Area
Figure 7. Breakdown Voltage Variation
vs. Temperature
Figure 8. On-Resistance Variation
vs. Temperature
Figure 10. Maximum Drain Current
vs. Case Temperature
相關PDF資料
PDF描述
FQU18N20V2 200V N-Channel MOSFET
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參數(shù)描述
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