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參數(shù)資料
| 型號： | FQD18N20V2 |
| 廠商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | JFETs |
| 英文描述： | 200V N-Channel MOSFET |
| 中文描述： | 15 A, 200 V, 0.14 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252 |
| 封裝： | ROHS COMPLIANT, DPAK-3 |
| 文件頁數(shù)： | 8/9頁 |
| 文件大?。?/td> | 615K |
| 代理商： | FQD18N20V2 |
2002 Fairchild Semiconductor Corporation
F
Dimensions in Millimeters
Rev. B1, August 2002
Package Dimensions
(Continued)
6.60
±
0.20
0.76
±
0.10
MAX0.96
2.30TYP
[2.30
±
0.20]
2.30TYP
[2.30
±
0.20]
0
±
0
0
±
0
1
±
0
9
±
0
1
±
0
6
±
0
0
±
0
5.34
±
0.20
0.50
±
0.10
0.50
±
0.10
2.30
±
0.20
(0.50)
(0.50)
(4.34)
IPAK
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FQU18N20V2 | 200V N-Channel MOSFET |
| FQD19N10L | GIGATRUE CAT6 UNIVERSAL JACK, WHITE |
| FQU19N10L | 100V LOGIC N-Channel MOSFET |
| FQD19N10 | 100V N-Channel MOSFET(漏源電壓為100V、漏電流為5.6A的N溝道增強型MOS場效應管) |
| FQU19N10 | 100V N-Channel MOSFET(漏源電壓為100V、漏電流為5.6A的N溝道增強型MOS場效應管) |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| FQD18N20V2_09 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:200V N-Channel MOSFET |
| FQD18N20V2_13 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:N-Channel QFET MOSFET |
| FQD18N20V2TF | 功能描述:MOSFET 200V N-Ch adv QFET V2 Series RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| FQD18N20V2TM | 功能描述:MOSFET 200V N-Ch adv QFET V2 Series RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| FQD19N10 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:100V N-Channel MOSFET |
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