欧美成人免费电影,国产欧美一区二区三区精品酒店,精品国产a毛片,色网在线免费观看

參數資料
型號: FQD19N10L
廠商: FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類: JFETs
英文描述: GIGATRUE CAT6 UNIVERSAL JACK, WHITE
中文描述: 15.6 A, 100 V, 0.11 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252
封裝: ROHS COMPLIANT, DPAK-3
文件頁數: 4/9頁
文件大小: 623K
代理商: FQD19N10L
2000 Fairchild Semiconductor International
F
Rev. A, August 2000
1 0
-5
1 0
-4
1 0
-3
1 0
-2
1 0
-1
1 0
0
1 0
1
1 0
-2
1 0
-1
1 0
0
N ote s :
1. Z
θ
J C
(t) = 2.5
/W M ax.
2. D u ty F actor, D =t
1
/t
2
3. T
J M
- T
C
= P
D M
* Z
θ
J C
(t)
sing le pu lse
D = 0.5
0 .02
0 .01
0 .2
0 .05
0 .1
Z
θ
(
t
1
, S q u a re W a ve P u ls e D u ra tio n [s e c ]
25
50
75
100
125
150
0
4
8
12
16
I
D
,
T
C
, Case Temperature [
]
10
0
10
1
10
2
10
-1
10
0
10
1
10
2
10
μ
s
DC
10 ms
1 ms
100
μ
s
Operation in This Area
is Limited by R
DS(on)
Notes :
1. T
C
= 25
2. T
J
= 150
3. Single Pulse
o
C
o
C
I
D
,
V
DS
, Drain-Source Voltage [V]
-100
-50
0
50
100
150
200
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
Notes :
1. V
= 10 V
2. I
D
= 7.8 A
R
D
,
D
T
J
, Junction Temperature [
o
C]
-100
-50
0
50
100
150
200
0.8
0.9
1.0
1.1
1.2
Notes :
1. V
GS
= 0 V
2. I
D
= 250
μ
A
B
D
,
D
T
J
, Junction Temperature [
o
C]
Typical Characteristics
(Continued)
Figure 9. Maximum Safe Operating Area
Figure 10. Maximum Drain Current
vs. Case Temperature
Figure 7. Breakdown Voltage Variation
vs. Temperature
Figure 8. On-Resistance Variation
vs. Temperature
Figure 11. Transient Thermal Response Curve
t
1
P
DM
t
2
相關PDF資料
PDF描述
FQU19N10L 100V LOGIC N-Channel MOSFET
FQD19N10 100V N-Channel MOSFET(漏源電壓為100V、漏電流為5.6A的N溝道增強型MOS場效應管)
FQU19N10 100V N-Channel MOSFET(漏源電壓為100V、漏電流為5.6A的N溝道增強型MOS場效應管)
FQD1N50B 500V N-Channel MOSFET
FQD1N50 500V N-Channel MOSFET
相關代理商/技術參數
參數描述
FQD19N10L_13 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:N-Channel QFET MOSFET
FQD19N10LTF 功能描述:MOSFET 100V N-Ch QFET Logic Level RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
FQD19N10LTM 功能描述:MOSFET 100V N-Ch QFET Logic Level RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
FQD19N10TF 功能描述:MOSFET 100V N-Ch QFET Logic Level RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
FQD19N10TM 功能描述:MOSFET 100V N-Ch QFET Logic Level RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
主站蜘蛛池模板: 广宁县| 康马县| 方城县| 邵东县| 壶关县| 汤原县| 长海县| 高阳县| 永胜县| 洪雅县| 铁岭县| 高要市| 平泉县| 石首市| 环江| 汤阴县| 尼玛县| 甘南县| 博兴县| 长白| 阿合奇县| 福海县| 汉沽区| 鞍山市| 河北区| 连山| 民乐县| 搜索| 泽普县| 昆明市| 石泉县| 营山县| 卫辉市| 河间市| 吴忠市| 廉江市| 商都县| 洛川县| 信丰县| 黄龙县| 泰来县|