型號: | FQD19N10L |
廠商: | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
元件分類: | JFETs |
英文描述: | GIGATRUE CAT6 UNIVERSAL JACK, WHITE |
中文描述: | 15.6 A, 100 V, 0.11 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252 |
封裝: | ROHS COMPLIANT, DPAK-3 |
文件頁數: | 7/9頁 |
文件大小: | 623K |
代理商: | FQD19N10L |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
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FQU19N10L | 100V LOGIC N-Channel MOSFET |
FQD19N10 | 100V N-Channel MOSFET(漏源電壓為100V、漏電流為5.6A的N溝道增強型MOS場效應管) |
FQU19N10 | 100V N-Channel MOSFET(漏源電壓為100V、漏電流為5.6A的N溝道增強型MOS場效應管) |
FQD1N50B | 500V N-Channel MOSFET |
FQD1N50 | 500V N-Channel MOSFET |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
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FQD19N10L_13 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:N-Channel QFET MOSFET |
FQD19N10LTF | 功能描述:MOSFET 100V N-Ch QFET Logic Level RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
FQD19N10LTM | 功能描述:MOSFET 100V N-Ch QFET Logic Level RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
FQD19N10TF | 功能描述:MOSFET 100V N-Ch QFET Logic Level RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
FQD19N10TM | 功能描述:MOSFET 100V N-Ch QFET Logic Level RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |