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參數資料
| 型號： | FQD5N30 |
| 廠商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | JFETs |
| 英文描述： | 300V N-Channel MOSFET(漏源電壓為300V、漏電流為4.4A的N溝道增強型MOS場效應管) |
| 中文描述： | 4.4 A, 300 V, 0.9 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252 |
| 封裝： | DPAK-3 |
| 文件頁數： | 4/9頁 |
| 文件大小： | 757K |
| 代理商： | FQD5N30 |
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相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FQU5N30 | 300V N-Channel MOSFET |
| FQD5N40 | 400V N-Channel MOSFET(漏源電壓為400V、漏電流為3.4A的N溝道增強型MOS場效應管) |
| FQU5N40 | 400V N-Channel MOSFET(漏源電壓為400V、漏電流為3.4A的N溝道增強型MOS場效應管) |
| FQD5N50C | 500V N-Channel MOSFET |
| FQU5N50C | 500V N-Channel MOSFET |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| FQD5N30TF | 功能描述:MOSFET 300V N-Channel QFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| FQD5N30TM | 功能描述:MOSFET 300V N-Channel QFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| FQD5N40 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:400V N-Channel MOSFET |
| FQD5N40TF | 功能描述:MOSFET 400V N-Ch QFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| FQD5N40TM | 功能描述:MOSFET N-CH/400V/3.4A/1.6OHM RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
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