欧美成人免费电影,国产欧美一区二区三区精品酒店,精品国产a毛片,色网在线免费观看

您現在的位置：買賣IC網 > PDF目錄375882 > FQD5N30 (FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP) 300V N-Channel MOSFET(漏源電壓為300V、漏電流為4.4A的N溝道增強型MOS場效應管) PDF資料下載

參數資料

型號：	FQD5N30
廠商：	FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類：	JFETs
英文描述：	300V N-Channel MOSFET(漏源電壓為300V、漏電流為4.4A的N溝道增強型MOS場效應管)
中文描述：	4.4 A, 300 V, 0.9 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252
封裝：	DPAK-3
文件頁數：	9/9頁
文件大小：	757K
代理商：	FQD5N30

"C!

!$%&'

()*

()+

(),

%-&

'6+F60=6I++==+*=F=+6<F'J=F'<=A6FII+F=+6='K

:+IF=+=66:+*=+=06'D606KI6+=6< '6+F60='I='K

06'D606K'+66<IF='::06'6+I='K:+I+6+I6=+6D=F=+=6L

=6F=+=6*=K'K06==I=+6:'=+6<F+F=+6<FF=+

'6+F60 :+I '+= 'IF+6E= + I= ' +66'0 := 6 06= I::+

=*6= + K= A6FI F= =M:+= A+6= '::+*'0 '6+F60 =6I+

6=+'6'0

/ 0!!

13 "

1"33

! " ""C

7 '

!"#

$#$

'!6

相關PDF資料	PDF描述
FQU5N30	300V N-Channel MOSFET
FQD5N40	400V N-Channel MOSFET(漏源電壓為400V、漏電流為3.4A的N溝道增強型MOS場效應管)
FQU5N40	400V N-Channel MOSFET(漏源電壓為400V、漏電流為3.4A的N溝道增強型MOS場效應管)
FQD5N50C	500V N-Channel MOSFET
FQU5N50C	500V N-Channel MOSFET

相關代理商/技術參數	參數描述
FQD5N30TF	功能描述:MOSFET 300V N-Channel QFET RoHS:否制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
FQD5N30TM	功能描述:MOSFET 300V N-Channel QFET RoHS:否制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
FQD5N40	制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:400V N-Channel MOSFET
FQD5N40TF	功能描述:MOSFET 400V N-Ch QFET RoHS:否制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
FQD5N40TM	功能描述:MOSFET N-CH/400V/3.4A/1.6OHM RoHS:否制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube

發布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。

(若只采購一條型號，填寫一行即可)

*型號	*數量	廠商	批號	封裝

添加更多采購