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參數(shù)資料
型號: FQD5N30
廠商: FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類: JFETs
英文描述: 300V N-Channel MOSFET(漏源電壓為300V、漏電流為4.4A的N溝道增強(qiáng)型MOS場效應(yīng)管)
中文描述: 4.4 A, 300 V, 0.9 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252
封裝: DPAK-3
文件頁數(shù): 5/9頁
文件大小: 757K
代理商: FQD5N30
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相關(guān)PDF資料
PDF描述
FQU5N30 300V N-Channel MOSFET
FQD5N40 400V N-Channel MOSFET(漏源電壓為400V、漏電流為3.4A的N溝道增強(qiáng)型MOS場效應(yīng)管)
FQU5N40 400V N-Channel MOSFET(漏源電壓為400V、漏電流為3.4A的N溝道增強(qiáng)型MOS場效應(yīng)管)
FQD5N50C 500V N-Channel MOSFET
FQU5N50C 500V N-Channel MOSFET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
FQD5N30TF 功能描述:MOSFET 300V N-Channel QFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
FQD5N30TM 功能描述:MOSFET 300V N-Channel QFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
FQD5N40 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:400V N-Channel MOSFET
FQD5N40TF 功能描述:MOSFET 400V N-Ch QFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
FQD5N40TM 功能描述:MOSFET N-CH/400V/3.4A/1.6OHM RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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