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參數資料
| 型號： | FQD9N08 |
| 廠商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | JFETs |
| 英文描述： | 80V N-Channel MOSFET |
| 中文描述： | 7.4 A, 80 V, 0.21 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252 |
| 封裝： | DPAK-3 |
| 文件頁數： | 8/9頁 |
| 文件大小： | 536K |
| 代理商： | FQD9N08 |
2000 Fairchild Semiconductor International
F
Rev. A2, December 2000
Package Dimensions
(Continued)
6.60
±
0.20
0.76
±
0.10
MAX0.96
2.30TYP
[2.30
±
0.20]
2.30TYP
[2.30
±
0.20]
0
±
0
0
±
0
1
±
0
9
±
0
1
±
0
6
±
0
0
±
0
5.34
±
0.20
0.50
±
0.10
0.50
±
0.10
2.30
±
0.20
(0.50)
(0.50)
(4.34)
IPAK
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FQD9N08L | 80V LOGIC N-Channel MOSFET |
| FQE10N20C | 200V N-Channel MOSFET |
| FQE10N20LC | 200V Logic N-Channel MOSFET |
| FQG4902 | 250V Dual N & P-Channel MOSFET |
| FQG4904 | 400V Dual N & P-Channel MOSFET |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| FQD9N08L | 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:80V LOGIC N-Channel MOSFET |
| FQD9N08LTF | 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| FQD9N08LTM | 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| FQD9N08TF | 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| FQD9N08TM | 功能描述:MOSFET N-CH/80V/7.4A/0.21OHM RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
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