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參數資料
| 型號： | FQI22N30 |
| 英文描述： | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 300V V(BR)DSS | 21A I(D) | TO-263 |
| 中文描述： | 晶體管| MOSFET的| N溝道| 300V五（巴西）直| 21A條（丁）| TO - 263封裝 |
| 文件頁數： | 1/9頁 |
| 文件大小： | 773K |
| 代理商： | FQI22N30 |
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相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FQI22P10 | 100V P-Channel MOSFET |
| FQB22N30 | 300V N-Channel MOSFET(漏源電壓為300V的N溝道增強型MOS場效應管) |
| FQI22N30 | 300V N-Channel MOSFET(漏源電壓為300V的N溝道增強型MOS場效應管) |
| FQI26N03L | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 30V V(BR)DSS | 26A I(D) | TO-263 |
| FQI30N06L | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 32A I(D) | TO-262AA |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| FQI22N30TU | 功能描述:MOSFET DISC BY MFG 2/02 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| FQI22P10 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:100V P-Channel MOSFET |
| FQI24N08 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:80V N-Channel MOSFET |
| FQI26N03L | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 30V V(BR)DSS | 26A I(D) | TO-263 |
| FQI26N03LTU | 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
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