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參數資料
| 型號： | FQP10N50CF |
| 廠商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | JFETs |
| 英文描述： | 500V N-Channel MOSFET |
| 中文描述： | 10 A, 500 V, 0.61 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| 封裝： | TO-220, 3 PIN |
| 文件頁數： | 7/10頁 |
| 文件大小： | 996K |
| 代理商： | FQP10N50CF |
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www.fairchildsemi.com
FQP10N50CF / FQPF10N50CF Rev. A
F
Peak Diode Recovery dv/dt Test Circuit & Waveforms
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FQP10N60CF | 600V N-Channel MOSFET |
| FQP10N60C | 600V N-Channel MOSFET |
| FQPF10N60C | 600V N-Channel MOSFET |
| FQP11N40C | 400V N-Channel MOSFET |
| FQPF11N40C | 400V N-Channel MOSFET |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| FQP10N50CF_08 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:500V N-Channel MOSFET Improved dv/dt capability |
| FQP10N60 | 制造商:TGS 制造商全稱:Tiger Electronic Co.,Ltd 功能描述:600V N-Channel MOSFET |
| FQP10N60C | 功能描述:MOSFET 600V N-Ch Q-FET advance C-Series RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| FQP10N60C_07 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:600V N-Channel MOSFET |
| FQP10N60C_Q | 功能描述:MOSFET 600V N-Ch Q-FET advance C-Series RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
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