欧美成人免费电影,国产欧美一区二区三区精品酒店,精品国产a毛片,色网在线免费观看

參數資料
型號: FQP10N60CF
廠商: FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類: JFETs
英文描述: 600V N-Channel MOSFET
中文描述: 9 A, 600 V, 0.8 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB
封裝: TO-220, 3 PIN
文件頁數: 3/10頁
文件大小: 944K
代理商: FQP10N60CF
3
www.fairchildsemi.com
FQP10N60CF / FQPF10N60CF Rev. A
F
Typical Performance Characteristics
Figure 1. On-Region Characteristics
Figure 2. Transfer Characteristics
Figure 3. On-Resistance Variation vs.
Drain Current and Gate Voltage
Figure 4. Body Diode Forward Voltage
Variation vs. Source Current
and Temperatue
Figure 5. Capacitance Characteristics
Figure 6. Gate Charge Characteristics
10
V
DS
, Drain-Source Voltage [V]
0
10
1
10
-1
10
0
10
1
V
GS
Top : 15.0 V
10.0 V
8.0 V
7.0 V
6.5 V
6.0 V
5.5 V
5.0 V
Bottom : 4.5 V
* Notes :
1. 250
μ
s Pulse Test
2. T
C
= 25
°
C
I
D
,
2
4
6
8
10
10
-1
10
0
10
1
150
°
C
25
°
C
-55
°
C
* Notes :
1. V
DS
= 40V
2. 250
μ
s Pulse Test
I
D
,
V
GS
, Gate-Source Voltage [V]
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
10
-1
10
0
10
1
150
°
C
* Notes :
1. V
GS
= 0V
2. 250
μ
s Pulse Test
25
°
C
I
D
,
V
SD
, Source-Drain voltage [V]
0
5
10
15
20
25
30
35
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
V
GS
= 20V
V
GS
= 10V
* Note : T
J
= 25
°
C
R
D
]
D
I
D
, Drain Current [A]
10
-1
10
0
10
1
0
500
1000
1500
2000
2500
3000
C
iss
= C
gs
+ C
gd
(C
ds
= shorted)
C
oss
= C
ds
+ C
gd
C
rss
= C
gd
* Notes ;
1. V
GS
= 0 V
2. f = 1 MHz
C
rss
C
oss
C
iss
C
V
DS
, Drain-Source Voltage [V]
0
10
20
30
40
50
0
2
4
6
8
10
12
V
DS
= 300V
V
DS
= 480V
V
DS
= 120V
* Note : I
D
= 9.0A
V
G
,
Q
G
, Total Gate Charge [nC]
相關PDF資料
PDF描述
FQP10N60C 600V N-Channel MOSFET
FQPF10N60C 600V N-Channel MOSFET
FQP11N40C 400V N-Channel MOSFET
FQPF11N40C 400V N-Channel MOSFET
FQP11N40 400V N-Channel MOSFET
相關代理商/技術參數
參數描述
FQP11N40 功能描述:MOSFET 400V N-Channel QFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
FQP11N40C 功能描述:MOSFET 400V N-Channel Advance Q-FET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
FQP11N40C_08 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:400V N-Channel MOSFET
FQP11N40C_F105 制造商:Fairchild 功能描述:400V/11A N-CH MOSFET C-SERIES
FQP11N40C_Q 功能描述:MOSFET 400V N-Channel Advance Q-FET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
主站蜘蛛池模板: 阜南县| 故城县| 精河县| 营山县| 石家庄市| 开化县| 十堰市| 图们市| 罗源县| 阳城县| 朝阳市| 民勤县| 眉山市| 沿河| 越西县| 德清县| 曲麻莱县| 靖江市| 大方县| 邵武市| 南澳县| 静乐县| 芜湖县| 顺昌县| 泉州市| 武夷山市| 湖口县| 广德县| 南陵县| 虹口区| 松原市| 上虞市| 新和县| 寿阳县| 清涧县| 扶绥县| 无为县| 晴隆县| 乌兰浩特市| 辽阳县| 佛山市|