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參數資料
型號: FQP17N40
廠商: FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類: JFETs
英文描述: 400V N-Channel MOSFET
中文描述: 16 A, 400 V, 0.27 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB
封裝: TO-220, 3 PIN
文件頁數: 3/8頁
文件大小: 603K
代理商: FQP17N40
2000 Fairchild Semiconductor International
Rev. A1, January 2001
F
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
10
-1
10
0
10
1
25
175
Notes :
1. V
GS
= 0V
2. 250
μ
s Pulse Test
I
D
V
SD
, Source-Drain Voltage [V]
0
10
20
30
40
50
0.0
0.1
0.2
0.3
0.4
V
GS
= 20V
V
GS
= 10V
Note : T
J
= 25
R
D
Ω
]
D
I
D
, Drain Current [A]
2
4
6
8
10
10
-1
10
0
10
1
Notes :
1. V
DS
= 30V
2. 250
μ
s Pulse Test
-55
175
25
I
D
V
GS
, Gate-Source Voltage [V]
10
-1
10
0
10
1
10
0
10
1
V
GS
Top : 15.0 V
10.0 V
8.0 V
7.0 V
6.0 V
5.5 V
5.0 V
Bottom : 4.5 V
Note :
1. 250
μ
s Pulse Test
2. T
C
= 25
I
D
,
V
DS
, Drain-Source Voltage [V]
0
2
4
6
8
10
12
0
2
4
6
8
10
12
V
DS
= 40V
V
DS
= 64V
Note : I
D
= 16.5A
V
G
,
Q
G
, Total Gate Charge [nC]
10
-1
10
0
10
1
0
150
300
450
600
750
900
C
iss
= C
gs
+ C
gd
(C
ds
= shorted)
C
oss
= C
ds
+ C
gd
C
rss
= C
gd
Notes :
1. V
GS
= 0 V
2. f = 1 MHz
C
rss
C
oss
C
iss
C
V
DS
, Drain-Source Voltage [V]
Typical Characteristics
Figure 5. Capacitance Characteristics
Figure 6. Gate Charge Characteristics
Figure 3. On-Resistance Variation vs.
Drain Current and Gate Voltage
Figure 4. Body Diode Forward Voltage
Variation vs. Source Current
and Temperature
Figure 2. Transfer Characteristics
Figure 1. On-Region Characteristics
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