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參數(shù)資料
| 型號： | FQU3N50C |
| 廠商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | JFETs |
| 英文描述： | 500V N-Channel MOSFET |
| 中文描述： | 2.5 A, 500 V, 2.5 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| 封裝： | IPAK-3 |
| 文件頁數(shù)： | 4/9頁 |
| 文件大小： | 1043K |
| 代理商： | FQU3N50C |
4
www.fairchildsemi.com
FQD3N50C/FQU3N50C Rev. A
F
Typical Performance Characteristics
(Continued)
Figure 7. Breakdown Voltage Variation
vs. Temperature
Figure 8. On-Resistance Variation
vs. Temperature
Figure 9. Maximum Safe Operating Area
Figure 10. Maximum Drain Current
vs. Case Temperature
Figure 11. ransient Thermal Response Curve
-100
-50
0
50
100
150
200
0.8
0.9
1.0
1.1
1.2
Notes :
1. V
GS
= 0 V
2. I
D
= 250
μ
A
B
D
,
D
T
J
, Junction Temperature [
°
C]
-100
-50
0
50
100
150
200
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
Notes :
1. V
GS
= 10 V
2. I
D
= 1.5 A
R
D
,
D
T
J
, Junction Temperature [
°
C]
25
50
75
100
125
150
0
1
2
3
I
D
,
T
C
, Case Temperature [
°
C]
10
0
10
1
10
2
10
3
10
-2
10
-1
10
0
10
1
10
2
100
μ
s
100 ms
DC
1 ms
10 ms
Operation in This Area
is Limited by R
DS(on)
Notes :
1. T
C
= 25
°
C
2. T
J
= 150
°
C
3. Single Pulse
I
D
,
V
DS
, Drain-Source Voltage [V]
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
1
10
-2
10
-1
10
0
Notes :
1. Z
θ
JC
(t) = 3.5
°
C/W Max.
2. Duty Factor, D=t
1
/t
2
3. T
JM
- T
C
= P
DM
* Z
θ
JC
(t)
single pulse
D=0.5
0.02
0.01
0.2
0.05
0.1
Z
θ
J
(
t
1
, Square W ave Pulse Duration [sec]
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FQD3N60 | 600V N-Channel MOSFET |
| FQU3N60 | 600V N-Channel MOSFET |
| FQD3P20 | 200V P-Channel MOSFET |
| FQU3P20 | 200V P-Channel MOSFET |
| FQD3P50 | 500V P-Channel MOSFET(漏源電壓為-500V、漏電流為2.1A的P溝道增強(qiáng)型MOS場效應(yīng)管) |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| FQU3N50CTU | 功能描述:MOSFET 500V N-Channel Adv QFET C-series RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| FQU3N60 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:600V N-Channel MOSFET |
| FQU3N60CTU | 功能描述:MOSFET 600V N-Channel MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| FQU3N60TU | 功能描述:MOSFET 600V N-Channel QFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| FQU3P20 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:200V P-Channel MOSFET |
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