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參數資料
| 型號： | FQU3N60 |
| 廠商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | JFETs |
| 英文描述： | 600V N-Channel MOSFET |
| 中文描述： | 2.4 A, 600 V, 3.6 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-251 |
| 封裝： | IPAK-3 |
| 文件頁數： | 4/9頁 |
| 文件大小： | 575K |
| 代理商： | FQU3N60 |
2000 Fairchild Semiconductor International
F
Rev. A, April 2000
1 0
-5
1 0
-4
1 0
-3
1 0
-2
1 0
-1
1 0
0
1 0
1
1 0
-2
1 0
-1
1 0
0
N ote s :
1. Z
2. D u ty F actor, D =t
1
/t
2
3. T
J M
- T
C
= P
D M
* Z
J C
(t) = 2.5
/W M ax.
J C
(t)
sing le pu lse
D = 0.5
0 .02
0 .01
0 .2
0 .05
0 .1
Z
J
(
t
1
, S q u a re W a ve P u ls e D u ra tio n [s e c ]
25
50
75
100
125
150
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
I
D
,
T
C
, Case Temperature [ ]
10
0
10
-2
10
-1
10
0
10
1
10
μ
s
DC
10 ms
1 ms
100
μ
s
Operation in This Area
is Limited by R
DS(on)
Notes :
1. T
C
= 25
2. T
J
= 150
3. Single Pulse
o
C
o
C
I
D
,
V
DS
, Drain-Source Voltage [V]
-100
-50
0
50
100
150
200
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
Notes :
1. V
= 10 V
2. I
D
= 1.5 A
R
D
,
D
T
J
, Junction Temperature [
o
C]
-100
-50
0
50
100
150
200
0.8
0.9
1.0
1.1
1.2
Notes :
1. V
= 0 V
2. I
D
= 250 A
B
D
,
D
T
J
, Junction Temperature [
o
C]
Typical Characteristics
(Continued)
Figure 9. Maximum Safe Operating Area
Figure 10. Maximum Drain Current
vs. Case Temperature
Figure 7. Breakdown Voltage Variation
vs. Temperature
Figure 8. On-Resistance Variation
vs. Temperature
Figure 11. Transient Thermal Response Curve
t
1
P
DM
t
2
相關PDF資料 |
PDF描述 |
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相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
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| FQU3P50 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:500V P-Channel MOSFET |
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